[發明專利]數據存儲方法、裝置、設備及存儲介質

在審

• 申請號: 202011197034.6
• 申請日: 2020-10-31
• 公開（公告）號: CN114442905A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 韓磊;任立鵬
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/10
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;劉芳

本申請的實施例提供一種數據存儲方法、裝置、設備及存儲介質。該方法應用于電子設備，電子設備的閃存存儲器件包括正常閃存塊、再利用閃存塊和壞閃存塊。該方法包括：響應于接收的向文件目錄中添加文件的文件添加請求，獲取目標文件；如果文件目錄為預設的近似文件目錄，則為目標文件添加近似文件標簽，并將目標文件添加至近似文件目錄，近似文件目錄為數據錯誤率小于等于第三預設錯誤率的文件的文件集合；根據近似文件標簽，將目標文件寫入再利用閃存塊，因此，本申請通過將文件添加至近似文件目錄中并為文件添加標記，并將標記后的文件存儲在再利用閃存塊，既滿足用戶對文件精度的要求，又提高了閃存存儲器件的壽命。

技術領域

本申請涉及存儲技術，尤其涉及一種數據存儲方法、裝置、設備及存儲介質。

背景技術

閃存(flash)單元類型豐富，例如：單階存儲單元(Single Level Cell，SLC)、三階存儲單元(Triple Level Cell，TLC)、四階存儲單元(Quadruple Level Cell，QLC)。隨著人們對電子產品的存儲容量的需求增加，存儲密度較大的TLC和QLC被廣泛應用于各電子產品中，例如手機、平板電腦。

一方面，閃存單元的存儲密度得到了提升，而另一方面，閃存單元的可擦除次數卻在下降。例如，TLC擁有多達8個電平狀態，SLC擁有2個電平狀態，相對于SLC，TLC能夠容忍的電壓峰值變化較低，導致TLC相較于SLC的可擦除次數顯著下降。存儲密度更大的閃存單元的可擦除次數的下降，使得閃存存儲器件的壽命縮短。

因此，如何有效提高閃存存儲器件的壽命是存儲技術領域亟需解決的問題之一。

發明內容

本申請實施例提供一種數據存儲方法、裝置、設備及存儲介質，提高閃存存儲器件的壽命。

第一方面，本申請的實施例提供一種數據存儲方法，該方法應用于電子設備中，電子設備包括閃存存儲器件，閃存存儲器件包括正常閃存塊、再利用閃存塊和壞閃存塊，正常閃存塊為數據錯誤率小于第一預設錯誤率的閃存塊，再利用閃存塊為數據錯誤率大于等于第一預設錯誤率且小于第二預設錯誤率的閃存塊，壞閃存塊為數據錯誤率大于等于第二預設錯誤率的閃存塊。該方法包括：

響應于接收的向文件目錄中添加文件的文件添加請求，獲取目標文件；

如果文件目錄為預設的近似文件目錄，則為目標文件添加近似文件標簽，并將目標文件添加至近似文件目錄，近似文件目錄為數據錯誤率小于等于第三預設錯誤率的文件的文件集合，第三預設錯誤率小于等于第二預設錯誤率；

根據近似文件標簽，將目標文件寫入再利用閃存塊。

本申請實施例可以將添加至近似文件目錄的文件存儲在再利用閃存塊，通過近似文件目錄和再利用閃存塊的結合，既能夠降低將文件存儲在再利用閃存塊對用戶的影響，又能夠提高閃存存儲器件的使用壽命。

在一些實施例中，第二預設錯誤率與閃存存儲器件中錯誤檢測碼EDC的錯誤檢測能力相關。

本實施例中，近似文件目錄的第三預設錯誤率小于等于第二預設錯誤率，第二預設錯誤率與閃存存儲器件中錯誤檢測碼EDC的錯誤檢測能力相關，使得第三預設錯誤率既能符合用戶需求，又能夠考慮到閃存存儲器件中EDC的錯誤檢測能力，提高第三預設錯誤率的合理性。

在一些實施例中，將目標文件寫入再利用閃存塊之前，所述方法還包括：

獲取目標文件的數據錯誤率；

根據近似文件標簽，將目標文件寫入再利用閃存塊，包括：

根據目標文件的近似文件標簽和目標文件的數據錯誤率，將目標文件寫入再利用閃存塊。

本申請實施例依據目標文件的近似文件標簽和數據錯誤率，將目標文件寫入再利用閃存塊，有利于將目標文件存儲至合適的再利用閃存塊中。