[發明專利]數據存儲方法、裝置、設備及存儲介質

在審

• 申請號: 202011197034.6
• 申請日: 2020-10-31
• 公開（公告）號: CN114442905A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 韓磊;任立鵬
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/10
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;劉芳

1.一種數據存儲方法，其特征在于，所述方法應用于電子設備中，所述電子設備包括閃存存儲器件，所述閃存存儲器件包括正常閃存塊、再利用閃存塊和壞閃存塊，所述正常閃存塊為數據錯誤率小于第一預設錯誤率的閃存塊，所述再利用閃存塊為數據錯誤率大于等于所述第一預設錯誤率且小于第二預設錯誤率的閃存塊，所述壞閃存塊為數據錯誤率大于等于所述第二預設錯誤率的閃存塊；

所述方法包括：

響應于接收的向文件目錄中添加文件的文件添加請求，獲取目標文件；

如果所述文件目錄為預設的近似文件目錄，則為所述目標文件添加近似文件標簽，并將所述目標文件添加至所述近似文件目錄，所述近似文件目錄為數據錯誤率小于等于第三預設錯誤率的文件的文件集合，所述第三預設錯誤率小于等于所述第二預設錯誤率；

根據所述近似文件標簽，將所述目標文件寫入所述再利用閃存塊。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二預設錯誤率與所述閃存存儲器件中錯誤檢測碼EDC的錯誤檢測能力相關。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述將所述目標文件寫入所述再利用閃存塊之前，所述方法還包括：

獲取所述目標文件的數據錯誤率；

所述根據所述近似文件標簽，將所述目標文件寫入所述再利用閃存塊，包括：

根據所述目標文件的近似文件標簽和所述目標文件的數據錯誤率，將所述目標文件寫入所述再利用閃存塊。

4.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

響應于接收的近似文件目錄創建請求，獲取用戶輸入的錯誤率閾值；

根據所述錯誤率閾值，創建所述近似文件目錄，并確定所述第三預設錯誤率。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述根據所述錯誤率閾值，創建所述近似文件目錄，并確定所述第三預設錯誤率，包括：

獲取與所述再利用閃存塊相關聯的錯誤率閾值配置條件；

如果所述用戶輸入的錯誤率閾值滿足所述錯誤率閾值配置條件，則創建所述近似文件目錄，并將所述錯誤率閾值確定為所述第三預設錯誤率。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述獲取與所述再利用閃存塊相關聯的錯誤率閾值配置條件，包括：

在所述閃存存儲器件中，獲取所述第二預設錯誤率；

所述如果所述用戶輸入的錯誤率閾值滿足所述錯誤率閾值配置條件，則創建所述近似文件目錄，并將所述錯誤率閾值確定為所述第三預設錯誤率，包括：

如果所述用戶輸入的錯誤率閾值小于等于所述第二預設錯誤率，則創建所述近似文件目錄，并將所述錯誤率閾值確定為所述第三預設錯誤率。

7.根據權利要求4-6任一項所述的方法，其特征在于，所述創建所述近似文件目錄之后，所述方法還包括：

根據所述第三預設錯誤率，在所述閃存存儲器件中，對所述再利用閃存塊和所述壞閃存塊進行數量調整。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述對所述再利用閃存塊和所述壞閃存塊進行數量調整，包括：

根據所述第三預設錯誤率，對所述閃存存儲器件中的錯誤檢測碼EDC進行調整；

根據調整后的所述錯誤檢測碼EDC，在所述閃存存儲器件中，對所述再利用閃存塊和所述壞閃存塊進行數量調整。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述對所述再利用閃存塊和所述壞閃存塊進行數量調整，包括：

通過調整后的所述錯誤檢測碼EDC，對所述閃存存儲器件中各閃存塊進行錯誤率檢測，得到各所述閃存塊的數據錯誤率；

根據調整后的所述錯誤檢測碼EDC，更新所述第二預設錯誤率；

將數據錯誤率大于等于所述第一預設錯誤率且小于更新后的所述第二預設錯誤率的閃存塊，確定為所述再利用閃存塊；

將數據錯誤率大于等于更新后的所述第二預設錯誤率的閃存塊，確定為所述壞閃存塊。