[發明專利]一種智能卡模塊焊接孔內電鍍的工藝有效
| 申請號: | 202011196635.5 | 申請日: | 2020-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN112251783B | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發明(設計)人: | 張成彬;邢樹楠;王毅;楊永學 | 申請(專利權)人: | 新恒匯電子股份有限公司 |
| 主分類號: | C25D5/02 | 分類號: | C25D5/02;C25D5/12;C25D7/00 |
| 代理公司: | 淄博佳和專利代理事務所(普通合伙) 37223 | 代理人: | 張雯 |
| 地址: | 255088 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 智能卡 模塊 焊接 電鍍 工藝 | ||
一種智能卡模塊焊接孔內電鍍的工藝,屬于智能卡模塊焊接孔內電鍍技術領域。預鍍金與鍍金層的成本上升嚴重,為了補償這種經濟缺點有將金電鍍層薄膜化的傾向,但是過薄的金層則會導致焊接孔內焊線焊接力的不穩定或導電率的下降。本發明利用銅?銀或鈀?金的鍍層結構代替預鍍金層?金層結構,保證信息傳遞效果的同時,有效提高了焊接孔內的焊接力并大大降低焊接孔內電鍍的成本。確定了合適的電鍍工藝條件,實現盲孔電鍍中穩定控制鍍層厚度以及各鍍層之間的隔離,且使用電鍍的方式,鍍層沉積速度快,可以實現量產。
技術領域
一種智能卡模塊焊接孔內電鍍的工藝,屬于智能卡模塊焊接孔內電鍍技術領域。
背景技術
接觸式智能卡模塊在載帶的背面固定有芯片,正面設置有接觸塊,還設置有穿透載帶的過孔,引線通過過孔連接芯片與接觸塊上的鍍層。在進行讀取時讀取設備通過接觸塊與芯片實現連接并進行數據的交換?,F有技術的過孔內引線連接接觸塊的鍍層普遍結構為沿著遠離接觸塊的方向依次設置的,鎳層-預鍍金層-金層。
隨著金價的攀升,預鍍金與鍍金層的成本上升嚴重,為了補償這種經濟缺點有將金電鍍層薄膜化的傾向,金電鍍層開始薄膜化,但這樣在電鍍膜上容易產生針孔,則與金線鍵合的時候焊接拉力必然會下降;如果鍍金層薄,則可能在鍵合時,表面涂覆的金被完全熔融,形成的是鎳~金鍵合;如果金層沒有薄至完全熔融,則既不完全形成金~金鍵合,也不完全形成鎳-金鍵合;另外,金層過薄會受到鎳層平整度的影響,從而也會影響鍵合質量;再者金層過薄,對鎳層的保護作用會下降,由于金原子半徑大于鎳原子,則薄金層金原子間的空隙更容易引入外界物質,導致鎳被氧化,綜合這些原因,再考慮到金本身耐磨性較差的特性,現在普遍采用的降低經濟成本的薄膜化方式必然將會導致鍍金層的焊接牢固性和信息交換可靠性都受到嚴重影響。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是:克服現有技術的不足,提供一種成本低,焊接牢固,信息傳遞穩定性好的智能卡模塊焊接孔內電鍍的工藝。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種智能卡模塊焊接孔內電鍍的工藝,其特征在于:包括以下步驟:
1)焊接孔內前處理;焊接孔內的焊接面一般為接觸塊的背面,即銅接觸塊的背面,除去銅面上的油脂和雜質。
2)對焊接孔內接觸塊的背面活化處理;使用活化鹽對銅面做活化處理,除掉銅面的氧化物,活化鹽溶液濃度為50~120g/L,活化溫度為20~40℃。
3)焊接孔內電鍍鎳層;焊接面上電鍍3~16μm的鎳層,電鍍所用藥水成分包括氨基磺酸鎳 90~110g/L,氯化鎳10~15g/L,硼酸 20~40g/L;pH為3.5~4.0,溫度為55~65℃,電流密度控制在 10~30ASD。
4)在鎳層上依次電鍍銅層、銀層或依次電鍍鈀層、金層。
本發明不在鎳層上直接電鍍金層,而是選擇用銅層-銀層或鈀層-金層的結構代替純金層。鎳層晶粒粗大,晶格疏松,銅層或鈀層可以有效的阻擋鎳向銀層或金層的擴散,同時填平凹凸不平的鎳層表面,保證銀層或金層的純凈度同時降低銀層或金層受底層金屬的影響。無論是鎳-銅-銀或鎳-鈀-金結構,均能夠實現甚至優于鎳-金結構的導電率,保證信息傳遞的可靠性。
優選的,步驟4)電鍍銅層藥水成分包括氰化亞銅 30~50g/L,氰化鈉 40~60g/L,酒石酸鉀鈉 30~60g/L,溫度為50~60℃,電流密度控制在1~10ASD;電鍍銀層藥水成分包括氰化銀鉀 40~80g/L,氰化鉀:30~100g/L,碳酸鉀:10~80g/L,光亮劑:0.5~2ml/L,控制鍍銀藥水的 pH為9~9.5,溫度 60~70℃,電流密度 10~60ASD。
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