[發(fā)明專利]低體阻聚酰亞胺及其制備方法和應(yīng)用、聚酰亞胺薄膜及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011196423.7 | 申請日: | 2020-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN112266478B | 公開(公告)日: | 2023-05-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王勝林;黎厚明;龔世銘 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市道爾頓電子材料有限公司 |
| 主分類號: | C08G73/10 | 分類號: | C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 王闖 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光明*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低體阻 聚酰亞胺 及其 制備 方法 應(yīng)用 薄膜 | ||
本發(fā)明提供一種低體阻聚酰亞胺及其制備方法和應(yīng)用、聚酰亞胺薄膜及其制備方法。低體阻聚酰亞胺,其原料包括哌嗪單體化合物,所述哌嗪單體化合物的結(jié)構(gòu)通式為:低體阻聚酰亞胺的制備方法包括:將包括所述哌嗪單體化合物和第一溶劑在內(nèi)的原料混合得到混合物,進(jìn)行第一反應(yīng)得到聚酰胺酸;將包括所述聚酰胺酸和脫水劑在內(nèi)的物料混合,進(jìn)行亞胺化反應(yīng)得到所述低體阻聚酰亞胺。聚酰亞胺薄膜,使用所述的低體阻聚酰亞胺制得。聚酰亞胺薄膜的制備方法包括:將包括所述低體阻聚酰亞胺和第二溶劑在內(nèi)的物料混合,然后加工得到所述聚酰亞胺薄膜。低體阻聚酰亞胺的應(yīng)用,用于制備電子產(chǎn)品。本申請?zhí)峁┑牡腕w阻聚酰亞胺,體阻值及面阻值低。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及高分子材料領(lǐng)域,尤其涉及一種低體阻聚酰亞胺及其制備方法和應(yīng)用、聚酰亞胺薄膜及其制備方法。
背景技術(shù)
聚酰亞胺(PI)是主鏈上含有酰亞胺環(huán)的具有優(yōu)良耐熱性、耐化學(xué)穩(wěn)定性、優(yōu)異力學(xué)性能和電性能的一類高分子材料,已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于微電子工業(yè)、先進(jìn)液晶顯示技術(shù)、集成電路等領(lǐng)域。
透明聚酰亞胺薄膜多應(yīng)用于電子及顯示器產(chǎn)業(yè),用途作為柔型基板、柔性蓋板、5G軟性應(yīng)刷電路板、透明光刻膠線路、液晶取向劑等,因?yàn)殡娮咏M件及器件多有電子傳導(dǎo)及離子蓄積的問題,導(dǎo)致會有靜電殘留、靜電擊傷、電荷聚積影響訊號傳輸速度、影像暫留、殘像以及長時(shí)間高溫高濕信賴性不佳等問題。
這些問題的解決都與聚酰亞胺材料的體阻值及面阻值密切相關(guān)。
有鑒于此,特提出本申請。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種低體阻聚酰亞胺及其制備方法和應(yīng)用、聚酰亞胺薄膜及其制備方法,以解決上述問題。
為實(shí)現(xiàn)以上目的,本發(fā)明特采用以下技術(shù)方案:
一種低體阻聚酰亞胺,其原料包括哌嗪單體化合物,所述哌嗪單體化合物的結(jié)構(gòu)通式為:
其中,R為胺基基團(tuán)或者酸酐基團(tuán)。
優(yōu)選地,所述原料還包括二胺單體化合物;
優(yōu)選地,所述二胺單體化合物包括含氟二胺化合物;
優(yōu)選地,所述含氟二胺化合物包括下述結(jié)構(gòu)式所示的化合物中的一種或多種:
優(yōu)選地,所述含氟二胺化合物為結(jié)構(gòu)式A所示的化合物:
優(yōu)選地,所述結(jié)構(gòu)式A所示的化合物占所述含氟二胺化合物總摩爾量的0.01-100%;
優(yōu)選地,所述結(jié)構(gòu)式A所示的化合物占所述含氟二胺化合物總摩爾量的10-100%;
優(yōu)選地,所述結(jié)構(gòu)式A所示的化合物占所述含氟二胺化合物總摩爾量的50-100%。
含氟二胺化合物中的三氟甲基是提升聚酰亞胺的透明度的核心影響因素。
可選地,當(dāng)原料中的含氟二胺化合物有多種且含有結(jié)構(gòu)式A所示的化合物時(shí),結(jié)構(gòu)式A所示的化合物占所述含氟二胺化合物總摩爾量的比例可以是0.01%、0.1%、1%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、99%以及大于等于0.01%、小于100%之間的任一值;含氟二胺化合物也可以全部使用結(jié)構(gòu)式A所示的化合物。
優(yōu)選地,所述原料還包括二酐單體化合物;
優(yōu)選地,所述二酐單體化合物包括下述結(jié)構(gòu)式所示化合物的一種或多種:
優(yōu)選地,所述二酐單體化合物包括下述結(jié)構(gòu)式所示的化合物中的一種或多種:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市道爾頓電子材料有限公司,未經(jīng)深圳市道爾頓電子材料有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011196423.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C08G 用碳-碳不飽和鍵以外的反應(yīng)得到的高分子化合物
C08G73-00 不包括在C08G 12/00到C08G 71/00組內(nèi)的,在高分子主鏈中形成含氮的鍵合,有或沒有氧或碳鍵合反應(yīng)得到的高分子化合物
C08G73-02 .聚胺
C08G73-06 .在高分子主鏈中有含氮雜環(huán)的縮聚物;聚酰肼;聚酰胺酸或類似的聚酰亞胺母體
C08G73-24 .氟代亞硝基有機(jī)化合物與另一氟有機(jī)化合物的共聚物,如亞硝基橡膠
C08G73-26 ..三氟亞硝基甲烷與氟-烯烴
C08G73-08 ..聚酰肼;聚三唑;聚氨基三唑;聚二唑





