[發明專利]低體阻聚酰亞胺及其制備方法和應用、聚酰亞胺薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 202011196423.7 | 申請日： | 2020-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN112266478B | 公開（公告）日： | 2023-05-12 |
| 發明（設計）人： | 王勝林;黎厚明;龔世銘 | 申請（專利權）人： | 深圳市道爾頓電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C08G73/10 | 分類號： | C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王闖 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市光明*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低體阻 聚酰亞胺 及其 制備 方法 應用 薄膜 | ||
1.一種低體阻聚酰亞胺，其特征在于，其原料包括哌嗪單體化合物，
所述原料還包括二胺單體化合物；
所述二胺單體化合物包括含氟二胺化合物；
所述含氟二胺化合物包括下述結構式所示的化合物中的一種或多種：
；
所述原料還包括二酐單體化合物；
所述二酐單體化合物包括下述結構式所示化合物的一種或多種：
；
所述哌嗪單體化合物包括下述結構式所示的化合物中的一種或多種：
、、。
2.根據權利要求1所述的低體阻聚酰亞胺，其特征在于，所述含氟二胺化合物為結構式A所示的化合物：
。
3.根據權利要求2所述的低體阻聚酰亞胺，其特征在于，所述結構式A所示的化合物占所述含氟二胺化合物總摩爾量的0.01-100%。
4.根據權利要求2所述的低體阻聚酰亞胺，其特征在于，所述結構式A所示的化合物占所述含氟二胺化合物總摩爾量的10-100%。
5.根據權利要求2所述的低體阻聚酰亞胺，其特征在于，所述結構式A所示的化合物占所述含氟二胺化合物總摩爾量的50-100%。
6.根據權利要求1所述的低體阻聚酰亞胺，其特征在于，所述二酐單體化合物包括下述結構式所示的化合物中的一種或多種：
、、。
7.一種權利要求1-6任一項所述的低體阻聚酰亞胺的制備方法，其特征在于，包括：
將包括所述哌嗪單體化合物和第一溶劑在內的原料混合得到混合物，進行第一反應得到聚酰胺酸；
將包括所述聚酰胺酸和脫水劑在內的物料混合，進行亞胺化反應得到所述低體阻聚酰亞胺；
所述原料還包括二胺單體化合物和所述二酐單體化合物，所述二胺單體化合物包括所述含氟二胺化合物。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述第一反應在保護氣氛下進行；所述保護氣氛包括氮氣。
9.根據權利要求7或8所述的制備方法，其特征在于，所述第一反應的溫度為-15℃至100℃，時間為0.5-48h。
10.根據權利要求7或8所述的制備方法，其特征在于，所述第一反應的溫度為0℃-80℃，時間為1-24h。
11.根據權利要求7或8所述的制備方法，其特征在于，所述第一反應的溫度為20℃-60℃，時間為2-12h。
12.根據權利要求7或8所述的制備方法，其特征在于，所述第一溶劑包括非質子溶劑。
13.根據權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述非質子溶劑包括N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亞砜、N-甲基吡咯烷酮、間甲酚、四氫呋喃中的一種或多種。
14.根據權利要求7或8所述的制備方法，其特征在于，所述亞胺化反應的溫度為0-100℃，時間為0.5-48h。
15.根據權利要求7或8所述的制備方法，其特征在于，所述亞胺化反應的溫度為10-100℃，時間為1-24h。
16.根據權利要求7或8所述的制備方法，其特征在于，所述亞胺化反應的溫度為20-100℃，時間為2-12h。
17.根據權利要求7或8所述的制備方法，其特征在于，所述脫水劑包括醋酸酐。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市道爾頓電子材料有限公司，未經深圳市道爾頓電子材料有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011196423.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：電源適配器及電子設備組件
- 下一篇：一種半導體器件及其制造方法和天線系統
- 同類專利
- 專利分類
