[發明專利]版圖結構、半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 202011195556.2
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112309986B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 蔡佩庭;王嘉鴻;林剛毅
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 鄭星

本發明提供了一種版圖結構、半導體器件及其形成方法。利用掩模圖案對特征圖案進行部分遮蓋，以將特征圖案中的有效規則圖形界定出，并且掩模圖案的至少第一邊界是順應規則圖形的排布而對應延伸，提高了對有效規則圖形的暴露度，并相應的保障對無效規則圖形的遮蓋程度。在將該版圖結構應用于半導體器件的制備中時，則所形成的對應于有效規則圖形的開孔的形貌也更加完整。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種版圖結構及半導體器件的形成方法。

背景技術

版圖是集成電路設計是關鍵環節之一，是連接集成電路設計和集成電路產品的中間橋梁，在半導體集成電路的制作中，各類集成元器件及其間的隔離與互連等均是基于一組版圖結構的界定下而圖形化形成的。例如，針對存儲器(例如，動態隨機存儲器DRMA)而言，在制備其電容器陣列時，即通常是利用版圖界定出對應的開孔陣列。

隨著半導體集成電路的不斷發展，半導體器件中各個組件的圖形精度要求也越來越高，而如何將版圖中的圖形精確復制于半導體產品中一直是本領域的一個重要研究方向。

發明內容

本發明的目的在于提供一種版圖結構，以提高版圖結構中的圖形復制精度。

為解決上述技術問題，本發明提供一種版圖結構，包括：

特征圖案，所述特征圖案包括由多個規則圖形構成的圖案陣列，所述規則圖形具有相交于中心的長軸和短軸，其中沿著長軸方向為第一方向，沿著短軸方向為第二方向；

掩模圖案，用于掩模遮蓋所述特征圖案，以遮蓋所述圖案陣列中位于邊緣的無效規則圖形，并暴露出所述圖案陣列中被所述掩模圖案圍繞在內的有效規則圖形；以及，所述掩模圖案靠近所述有效規則圖形的邊界包括沿著所述第一方向延伸的第一邊界和沿著所述第二方向延伸的第二邊界，并且至少所述第一邊界順應規則圖形的排布而構成第一鋸齒狀邊界；

其中，所述第一鋸齒狀邊界包括順應規則圖形的邊界的臺階狀斜邊，所述第一鋸齒狀邊界的臺階狀斜邊中沿著第一方向的臺階面寬度大于等于沿著第二方向的臺階面寬度。

可選的，所述第一鋸齒狀邊界中，由兩兩相鄰的臺階狀斜邊圍繞出鋸齒圖形，所述鋸齒圖形呈中心線對稱。

可選的，所述掩模圖案的每一鋸齒圖形中位于中心的掩模凸塊均至少遮蓋至最靠近有效規則圖形的無效規則圖形，并使所述掩模凸塊至少抵達至緊鄰且在第一方向對角排布的兩個有效規則圖形之間。

可選的，所述鋸齒圖形的掩模凸塊超出所述對角排布的兩個有效規則圖形之間的連接線。

可選的，所述鋸齒圖形的掩模凸塊超出所述對角排布的兩個有效規則圖形之間的連接線，并進一步延伸至緊鄰且對角排布的第三個有效規則圖形中。

可選的，所述第一邊界的臺階狀斜邊的延伸長度大于等于兩個規則圖形的邊界長度之和，以使所述第一邊界的臺階狀斜邊沿著規則圖形的邊界對應穿過至少兩個規則圖形。

可選的，所述掩模圖案的第二邊界也順應規則圖形的排布而構成第二鋸齒狀邊界，以及所述第二鋸齒狀邊界包括順應規則圖形的邊界的臺階狀斜邊，所述第二鋸齒狀邊界的臺階狀斜邊中沿著第一方向的臺階面寬度大于等于沿著第二方向的臺階面寬度。

可選的，所述第二邊界的臺階狀斜邊的延伸長度大于等于一個規則圖形的邊界長度，以使所述第二邊界的臺階狀斜邊沿著規則圖形的邊界對應穿過至少一個規則圖形。

可選的，所述第二邊界為沿著第二方向直線延伸的直邊狀邊界。

可選的，在所述第一邊界和所述第二邊界相互連接的各個拐角處，所述第一邊界其最邊緣的臺階狀斜邊和所述第二邊界的延伸方向之間的夾角均為鈍角。