[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制程系統(tǒng)以及處理半導(dǎo)體晶圓的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011194714.2 | 申請日: | 2020-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN112750726A | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 魏愷進(jìn);陳哲夫 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 系統(tǒng) 以及 處理 方法 | ||
一種半導(dǎo)體制程系統(tǒng)以及處理半導(dǎo)體晶圓的方法,半導(dǎo)體制程系統(tǒng)在制程腔室中處理半導(dǎo)體晶圓。制程腔室包括用于在腔室內(nèi)執(zhí)行半導(dǎo)體制程的半導(dǎo)體處理設(shè)備。制程腔室包括與制程腔室的一或多個部件整合在一起的熱管。熱管有效地將來自腔室內(nèi)的熱轉(zhuǎn)移至腔室外部。
技術(shù)領(lǐng)域
本揭示內(nèi)容是關(guān)于半導(dǎo)體制程系統(tǒng)以及處理半導(dǎo)體晶圓的方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體晶圓是在半導(dǎo)體處理設(shè)備中處理。半導(dǎo)體晶圓經(jīng)歷大量制程,包括薄膜沉積、光阻劑圖案化、蝕刻制程、摻雜劑布植制程、退火制程及其他類型的制程。許多此些制程執(zhí)行在半導(dǎo)體制程腔室中。為了在各種半導(dǎo)體制程中實(shí)現(xiàn)均勻的結(jié)果,將半導(dǎo)體制程腔室中的溫度維持在選定范圍內(nèi)是有益的。
然而,半導(dǎo)體制程腔室內(nèi)的溫度可能是難以控制的。半導(dǎo)體制程時常利用加熱器來升高半導(dǎo)體制程腔室內(nèi)的溫度。然而,可能難以自半導(dǎo)體制程腔室消散足夠的熱,以確保半導(dǎo)體制程腔室的溫度不會升高至高于選定水平或在選定范圍之外。若無法在半導(dǎo)體制程環(huán)境內(nèi)良好地控制溫度,則有可能半導(dǎo)體晶圓將具有不佳的均勻性、不如預(yù)期的效能特性,或可能需要完全報廢。
發(fā)明內(nèi)容
本揭示內(nèi)容的實(shí)施方式中的一態(tài)樣提供一種半導(dǎo)體制程系統(tǒng),包括:加熱器、定義內(nèi)部體積的壁、定位在內(nèi)部體積中,并且配置以固持一或多個半導(dǎo)體晶圓的晶圓支撐件,以及定位在內(nèi)部體積中的沉積護(hù)罩。沉積護(hù)罩包括第一表面、第二表面,及定位在第一表面與第二表面之間的熱管蒸汽腔室。
本揭示內(nèi)容的實(shí)施方式中的另一態(tài)樣為一種半導(dǎo)體制程系統(tǒng),包括:半導(dǎo)體制程腔室、晶圓支撐件、加熱器、以及熱管。半導(dǎo)體制程腔室定義內(nèi)部體積。晶圓支撐件定位在半導(dǎo)體制程腔室內(nèi),并且配置以在半導(dǎo)體制程期間固持半導(dǎo)體晶圓。加熱器經(jīng)定位以加熱內(nèi)部體積。熱管經(jīng)定位以接收來自內(nèi)部體積的熱。
本揭示內(nèi)容的實(shí)施方式中的又一態(tài)樣為一種處理半導(dǎo)體晶圓的方法,包括:在半導(dǎo)體制程腔室中支撐半導(dǎo)體晶圓;通過加熱器將熱輸出至半導(dǎo)體制程腔室中;對定位在半導(dǎo)體制程腔室內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓執(zhí)行半導(dǎo)體制程;以及通過熱管轉(zhuǎn)移來自半導(dǎo)體制程腔室內(nèi)的熱。
附圖說明
當(dāng)結(jié)合隨附諸圖閱讀時,得以自以下詳細(xì)描述最佳地理解本揭示案的態(tài)樣。應(yīng)注意,根據(jù)行業(yè)上的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù),各種特征未按比例繪制。事實(shí)上,為了論述清楚,可任意地增大或減小各種特征的尺寸。
圖1為根據(jù)一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體制程系統(tǒng)的方塊圖;
圖2A為根據(jù)一些實(shí)施方式的包括形成為熱管的沉積護(hù)罩的半導(dǎo)體制程系統(tǒng)的側(cè)視剖面圖;
圖2B為根據(jù)一個實(shí)施方式的圖2A的沉積護(hù)罩的俯視圖;
圖2C為根據(jù)一個實(shí)施方式的圖2A的沉積護(hù)罩的側(cè)視圖;
圖2D為根據(jù)一實(shí)施方式的加熱器襯墊的示意圖;
圖3A及圖3B為根據(jù)一些實(shí)施方式的蒸汽腔室式熱管的示意圖;
圖4A及圖4B為根據(jù)一些實(shí)施方式的熱管的示意圖;
圖5為根據(jù)一些實(shí)施方式的用于處理半導(dǎo)體晶圓的方法的流程圖。
【符號說明】
100:半導(dǎo)體制程系統(tǒng)
102:半導(dǎo)體制程腔室
103:內(nèi)部體積
104:處理設(shè)備
106:晶圓
108:加熱器
109a:電線
109b:電線
110:溫度感測器
111a:加熱器襯墊
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動終端
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- X射線探測方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





