[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制程系統(tǒng)以及處理半導(dǎo)體晶圓的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011194714.2
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112750726A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏愷進(jìn);陳哲夫
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導(dǎo)體制程系統(tǒng)，其特征在于，包括：

一加熱器；

一壁，定義一內(nèi)部體積；

一晶圓支撐件，定位在該內(nèi)部體積中，并且配置以固持一或多個半導(dǎo)體晶圓；以及

一沉積護(hù)罩，定位在該內(nèi)部體積中，并且包括：

一第一表面；

一第二表面；以及

一熱管蒸汽腔室，定位在該第一表面與該第二表面之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程系統(tǒng)，其特征在于，該熱管蒸汽腔室包括：

一毛細(xì)材料；

一或多個通道；以及

一工作流體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程系統(tǒng)，其特征在于，該熱管蒸汽腔室包括在該第一表面與該第二表面之間延伸的一或多個支柱。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程系統(tǒng)，其特征在于，該沉積護(hù)罩環(huán)繞該晶圓支撐件，其中該沉積護(hù)罩的該第一表面比該沉積護(hù)罩的該第二表面更接近該晶圓支撐件。

5.一種半導(dǎo)體制程系統(tǒng)，其特征在于，包括：

一半導(dǎo)體制程腔室，定義一內(nèi)部體積；

一晶圓支撐件，定位在該半導(dǎo)體制程腔室內(nèi)，并且配置以在一半導(dǎo)體制程期間固持一半導(dǎo)體晶圓；

一加熱器，經(jīng)定位以加熱該內(nèi)部體積；以及

一熱管，經(jīng)定位以接收來自該內(nèi)部體積的熱。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體制程系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括：

一溫度感測器，配置以感測該內(nèi)部體積內(nèi)的一溫度；以及

一控制系統(tǒng)，耦接至該溫度感測器及該加熱器，并且配置以回應(yīng)于該溫度感測器來控制該加熱器。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體制程系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括一處理設(shè)備，定位在該內(nèi)部體積內(nèi)，并且耦接至該熱管。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體制程系統(tǒng)，其特征在于，該半導(dǎo)體制程腔室包括至少部分地定義該內(nèi)部體積的一壁，其中該熱管與該壁整合。

9.一種處理半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于，包括：

在一半導(dǎo)體制程腔室中支撐一半導(dǎo)體晶圓；

通過一加熱器將熱輸出至該半導(dǎo)體制程腔室中；

對定位在該半導(dǎo)體制程腔室內(nèi)的該半導(dǎo)體晶圓執(zhí)行一半導(dǎo)體制程；以及

通過一熱管轉(zhuǎn)移來自該半導(dǎo)體制程腔室內(nèi)的熱。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該熱管與定位在該半導(dǎo)體制程腔室內(nèi)的一沉積護(hù)罩整合。