[發(fā)明專利]含氮化合物以及電子元件和電子裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011193363.3 | 申請日: | 2020-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN112266371B | 公開(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬林楠;南朋;馬天天 | 申請(專利權(quán))人: | 陜西萊特光電材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C07D307/91 | 分類號: | C07D307/91;C07D409/12;C07D209/88;C07D405/12;C07D209/86;C07D333/76;C07D409/14;C07D471/04;C07F7/08;C07D401/12;C09K11/06;H10K50/15;H10K30/00 |
| 代理公司: | 北京英創(chuàng)嘉友知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11447 | 代理人: | 鄒宇寧 |
| 地址: | 710065 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氮化 以及 電子元件 電子 裝置 | ||
本申請屬于有機發(fā)光材料領(lǐng)域,涉及一種含氮化合物以及電子元件和電子裝置。該含氮化合物具有如下式1?1或式1?2所示的結(jié)構(gòu),其中,L具有如下式1?3或式1?4所示的結(jié)構(gòu)。本申請的含氮化合物用于電子元件時,可提高電子元件的性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請屬于有機發(fā)光材料技術(shù)領(lǐng)域,具體提供一種含氮化合物以及電子元件和電子裝置。
背景技術(shù)
隨著電子技術(shù)的發(fā)展和材料科學(xué)的進步,用于實現(xiàn)電致發(fā)光或者光電轉(zhuǎn)化的電子元器件的應(yīng)用范圍越來越廣泛。該類電子元器件通常包括相對設(shè)置的陰極和陽極,以及設(shè)置于陰極和陽極之間的功能層。該功能層由多層有機或者無機膜層組成,且一般包括能量轉(zhuǎn)化層、位于能量轉(zhuǎn)化層與陽極之間的空穴傳輸層、位于能量轉(zhuǎn)化層與陰極之間的電子傳輸層。
以有機電致發(fā)光器件為例,其一般包括依次層疊設(shè)置的陽極、空穴傳輸層、作為能量轉(zhuǎn)化層的電致發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。當(dāng)陰陽兩極施加電壓時,兩電極產(chǎn)生電場,在電場的作用下,陰極側(cè)的電子向電致發(fā)光層移動,陽極側(cè)的空穴也向發(fā)光層移動,電子和空穴在電致發(fā)光層結(jié)合形成激子,激子處于激發(fā)態(tài)向外釋放能量,進而使得電致發(fā)光層對外發(fā)光。
目前,有機電致發(fā)光器件在高溫下驅(qū)動時會出現(xiàn)工作電壓上升、發(fā)光效率降低和壽命縮短等問題,導(dǎo)致有機電致發(fā)光器件的性能下降。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題,本申請的目的在于提供一種含氮化合物以及電子元件和電子裝置,該含氮化合物用于電子元件中,可提高電子元件的性能。
為了實現(xiàn)上述目的,本申請第一方面提供一種含氮化合物,該含氮化合物具有如下式1-1或式1-2所示的結(jié)構(gòu):
其中,L具有如下式1-3或式1-4所示的結(jié)構(gòu):
X1選自O(shè)、S或N(R3),R3選自碳原子數(shù)為6~12的芳基,X2選自碳原子數(shù)為6~12的亞芳基;
Ar1和Ar2相同或不同,且各自獨立地選自碳原子數(shù)為6~40的取代或未取代的芳基、碳原子數(shù)為2~30的取代或未取代的雜芳基;
Ar1和Ar2中的取代基相同或不同,且各自獨立地選自如下基團所組成的組:氘、鹵素基團、氰基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基、碳原子數(shù)為1~10的烷硫基、碳原子數(shù)為1~10的鹵代烷基、碳原子數(shù)為3~10的環(huán)烷基、碳原子數(shù)為6~20的芳基、碳原子數(shù)為3~18的雜芳基、碳原子數(shù)為3~12的三烷基硅基、碳原子數(shù)為18~24的三芳基硅基、碳原子數(shù)為6~18的芳氧基、碳原子數(shù)為6~18的芳硫基、碳原子數(shù)為2~10的烯基;在Ar1和Ar2中,任選地,任意兩個相鄰的取代基形成環(huán);
Ra、Rb、R1、R2相同或不同,且各自獨立地選自氘、鹵素基團、氰基、碳原子數(shù)為6~20的芳基、碳原子數(shù)為3~18的雜芳基、碳原子數(shù)為3~12的三烷基硅基、碳原子數(shù)為18~24的三芳基硅基、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為1~10的鹵代烷基、碳原子數(shù)為2~10的烯基、碳原子數(shù)為3~10的環(huán)烷基、碳原子數(shù)為1~10的烷硫基、碳原子數(shù)為6~18的芳氧基、碳原子數(shù)為6~18的芳硫基;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陜西萊特光電材料股份有限公司,未經(jīng)陜西萊特光電材料股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011193363.3/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種耐磨型汽車Y型橡膠圈的制備方法
- 下一篇:登機橋的控制系統(tǒng)
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動元件與其制作方法





