[發明專利]含氮化合物以及電子元件和電子裝置有效
| 申請號： | 202011193363.3 | 申請日： | 2020-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN112266371B | 公開（公告）日： | 2023-05-02 |
| 發明（設計）人： | 馬林楠;南朋;馬天天 | 申請（專利權）人： | 陜西萊特光電材料股份有限公司 |
| 主分類號： | C07D307/91 | 分類號： | C07D307/91;C07D409/12;C07D209/88;C07D405/12;C07D209/86;C07D333/76;C07D409/14;C07D471/04;C07F7/08;C07D401/12;C09K11/06;H10K50/15;H10K30/00 |
| 代理公司： | 北京英創嘉友知識產權代理事務所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 鄒宇寧 |
| 地址： | 710065 陜西省*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 以及 電子元件 電子 裝置 | ||
1.一種含氮化合物，其特征在于，該含氮化合物具有如下式1-1或式1-2所示的結構：
其中，L選自以下基團所組成的組：
Ar1和Ar2相同或不同，Ar1和Ar2各自獨立地選自取代或未取代的Z，其中，未取代的Z選自以下基團所組成的組：
取代的Z上具有一個或兩個以上的取代基，取代的Z上的取代基獨立地選自氘、氟、氰基、碳原子數為1～4的烷基、碳原子數為1～4的氟代烷基；
Ra、Rb、R1、R2相同或不同，且各自獨立地選自氘、鹵素基團、氰基、碳原子數為1～4的烷基；
na和nb分別表示Ra和Rb的個數，n1和n2分別表示R1和R2的個數；na選自0、1，nb為0；
n1和n2為0。
2.根據權利要求1所述的含氮化合物，其中，L為未取代的V，未取代的V選自式2-1至式2-16所示的基團：
“*”表示連接位點；
取代的V上具有一個或兩個以上取代基，取代的V上的取代基獨立地選自氘、氟、氰基、碳原子數為1～4的烷基、碳原子數為1～4的氟代烷基。
3.根據權利要求1所述的含氮化合物，其中，Ar1和Ar2各自獨立地選自以下基團所組成的組：
4.根據權利要求1所述的含氮化合物，其中，所述含氮化合物選自以下化合物組成的組：
5.一種電子元件，其特征在于，包括相對設置的陽極和陰極，以及設于所述陽極和所述陰極之間的功能層；所述功能層包含權利要求1～4中任一項所述的含氮化合物。
6.根據權利要求5所述的電子元件，其中，所述功能層包括空穴傳輸層，所述空穴傳輸層包括所述含氮化合物。
7.根據權利要求6所述的電子元件，其中，所述電子元件為有機電致發光器件或光電轉化器件。
8.根據權利要求7所述的電子元件，其中，所述電子元件為有機電致發光器件，所述空穴傳輸層包含第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層，且第一空穴傳輸層相對第二空穴傳輸層更靠近陽極的表面，第一空穴傳輸層和/或第二空穴傳輸層包含所述含氮化合物。
9.根據權利要求8所述的電子元件，其中，所述第二空穴傳輸層含有所述含氮化合物。
10.一種電子裝置，包括權利要求5-9中任意一項所述的電子元件。
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