[發(fā)明專利]在碳化硅基板上形成歐姆接觸的方法及系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011193115.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112201571A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張杰;鄒達(dá);秦國(guó)雙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英諾激光科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/04 | 分類號(hào): | H01L21/04 |
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務(wù)所 44242 | 代理人: | 巫苑明 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)科技*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 碳化硅 基板上 形成 歐姆 接觸 方法 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明提供了一種在碳化硅基板上形成歐姆接觸的方法及系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括超快激光模組、納米墨水打印模組、長(zhǎng)脈寬納秒紫外激光模組及機(jī)械平臺(tái);所述機(jī)械平臺(tái)用于承載碳化硅基板;所述超快激光模組設(shè)于機(jī)械平臺(tái)上方,用于在碳化硅基板上形成微納結(jié)構(gòu);所述納米墨水打印模組設(shè)于機(jī)械平臺(tái)上方,用于在碳化硅表面的微納結(jié)構(gòu)區(qū)涂覆一層金屬鎳的納米墨水;所述長(zhǎng)脈寬納秒紫外激光模組設(shè)于機(jī)械平臺(tái)上方,用于在涂覆一層金屬鎳的納米墨水的碳化硅基板上形成連續(xù)的金屬鎳涂層。本發(fā)明的有益效果在于:通過(guò)超快激光模組形成巨大的接觸表面的微納結(jié)構(gòu),在微納結(jié)構(gòu)上涂抹金屬鎳的納米墨水,最后進(jìn)行長(zhǎng)脈寬紫外激光輻照,得到歐姆接觸。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種形成歐姆接觸的方法及系統(tǒng),尤其是指一種在碳化硅基板上形成歐姆接觸的方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)
碳化硅屬于III-VI寬帶族半導(dǎo)體材料,主要用于功率器件的制備。在功率器件的制備中,一個(gè)重要的步驟是在碳化硅基板上形成金屬電極。目前主要的金屬電極材料是金屬鎳,傳統(tǒng)的電極制備方法是采用真空蒸鍍的方法在碳化硅上形成金屬鎳層,然后通過(guò)后處理的方法(脈沖激光輻射或者離子注入)使得金屬鎳和碳化硅直接形成歐姆接觸。由于碳化硅具有共價(jià)鍵的結(jié)構(gòu),所以具有很強(qiáng)的化學(xué)穩(wěn)定性和物理穩(wěn)定性(熔點(diǎn)=~2730℃)。如果要在碳化硅和金屬鎳之間形成歐姆接觸,就需要鎳原子有效且均勻摻雜到碳化硅的結(jié)構(gòu)中,但是目前這些物理蒸鍍和直接摻雜的技術(shù)存在成本高、可控性有限的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是:提供一種更加簡(jiǎn)單高效的在碳化硅基板上形成歐姆接觸的方法及系統(tǒng)。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:一種在碳化硅基板上形成歐姆接觸的方法,包括以下步驟,
S10、使用皮秒激光或飛秒激光聚焦在碳化硅基板的表面,通過(guò)控制激光的能量和光斑的尺寸形成微納結(jié)構(gòu);
S20、使用打印的方法,在碳化硅表面的微納結(jié)構(gòu)區(qū)涂覆一層金屬鎳的納米墨水,然后通過(guò)干燥除去溶劑;
S30、使用長(zhǎng)脈寬紫外激光輻照在碳化硅表面的微納結(jié)構(gòu)區(qū)金屬鎳的納米墨水涂覆,在惰性氣體的保護(hù)下燒結(jié)納米顆粒,形成一個(gè)連續(xù)的金屬鎳涂層,在金屬鎳和碳化硅的微納結(jié)構(gòu)界面區(qū)域形成鎳的摻雜。
進(jìn)一步的,飛秒激光的脈寬為250-950fs;波長(zhǎng)為1030-1064nm,515-532nm,343-355nm。
進(jìn)一步的,皮秒激光的脈寬為小于15ps;波長(zhǎng)為1030-1064nm,515-532nm,343-355nm。
進(jìn)一步的,長(zhǎng)脈寬紫外激光的脈寬大于10ns,波長(zhǎng)為355nm或者266nm。
本發(fā)明還提供了一種在碳化硅基板上形成歐姆接觸的系統(tǒng),包括,
超快激光模組、納米墨水打印模組、長(zhǎng)脈寬納秒紫外激光模組及機(jī)械平臺(tái);
所述機(jī)械平臺(tái)用于承載碳化硅基板;
所述超快激光模組設(shè)于機(jī)械平臺(tái)上方,用于在碳化硅基板上形成微納結(jié)構(gòu);
所述納米墨水打印模組設(shè)于機(jī)械平臺(tái)上方,用于在碳化硅表面的微納結(jié)構(gòu)區(qū)涂覆一層金屬鎳的納米墨水;
所述長(zhǎng)脈寬納秒紫外激光模組設(shè)于機(jī)械平臺(tái)上方,用于在涂覆一層金屬鎳的納米墨水的碳化硅基板上形成連續(xù)的金屬鎳涂層。
進(jìn)一步的,所述超快激光模組用于產(chǎn)生飛秒激光或皮秒激光,飛秒激光的脈寬為250-950fs;波長(zhǎng)為1030-1064nm,515-532nm,343-355nm;皮秒激光的脈寬為小于15ps,波長(zhǎng)為1030-1064nm,515-532nm,343-355nm。
進(jìn)一步的,所述長(zhǎng)脈寬納秒紫外激光模組用于產(chǎn)生長(zhǎng)脈寬紫外激光,長(zhǎng)脈寬紫外激光的脈寬大于10ns,波長(zhǎng)為355nm或者266nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





