[發明專利]在碳化硅基板上形成歐姆接觸的方法及系統在審
| 申請號: | 202011193115.9 | 申請日: | 2020-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN112201571A | 公開(公告)日: | 2021-01-08 |
| 發明(設計)人: | 張杰;鄒達;秦國雙 | 申請(專利權)人: | 英諾激光科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/04 | 分類號: | H01L21/04 |
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人: | 巫苑明 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區科技*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 碳化硅 基板上 形成 歐姆 接觸 方法 系統 | ||
1.一種在碳化硅基板上形成歐姆接觸的方法,其特征在于:包括以下步驟,
S10、使用皮秒激光或飛秒激光聚焦在碳化硅基板的表面,通過控制激光的能量和光斑的尺寸形成微納結構;
S20、使用打印的方法,在碳化硅表面的微納結構區涂覆一層金屬鎳的納米墨水,然后通過干燥除去溶劑;
S30、使用長脈寬紫外激光輻照在碳化硅表面的微納結構區金屬鎳的納米墨水涂覆,在惰性氣體的保護下燒結納米顆粒,形成一個連續的金屬鎳涂層,在金屬鎳和碳化硅的微納結構界面區域形成鎳的摻雜。
2.如權利要求1所述的在碳化硅基板上形成歐姆接觸的方法,其特征在于:飛秒激光的脈寬為250-950fs;波長為1030-1064nm,515-532nm,343-355nm。
3.如權利要求2所述的在碳化硅基板上形成歐姆接觸的方法,其特征在于:皮秒激光的脈寬為小于15ps;波長為1030-1064nm,515-532nm,343-355nm。
4.如權利要求3所述的在碳化硅基板上形成歐姆接觸的方法,其特征在于:長脈寬紫外激光的脈寬大于10ns,波長為355nm或者266nm。
5.一種在碳化硅基板上形成歐姆接觸的系統,其特征在于:包括,
超快激光模組、納米墨水打印模組、長脈寬納秒紫外激光模組及機械平臺;
所述機械平臺用于承載碳化硅基板;
所述超快激光模組設于機械平臺上方,用于在碳化硅基板上形成微納結構;
所述納米墨水打印模組設于機械平臺上方,用于在碳化硅表面的微納結構區涂覆一層金屬鎳的納米墨水;
所述長脈寬納秒紫外激光模組設于機械平臺上方,用于在涂覆一層金屬鎳的納米墨水的碳化硅基板上形成連續的金屬鎳涂層。
6.如權利要求5所述的在碳化硅基板上形成歐姆接觸的系統,其特征在于:所述超快激光模組用于產生飛秒激光或皮秒激光,飛秒激光的脈寬為250-950fs;波長為1030-1064nm,515-532nm,343-355nm;皮秒激光的脈寬為小于15ps;波長為1030-1064nm,515-532nm,343-355nm。
7.如權利要求6所述的在碳化硅基板上形成歐姆接觸的系統,其特征在于:所述長脈寬納秒紫外激光模組用于產生長脈寬紫外激光,長脈寬紫外激光的脈寬大于10ns,波長為355nm或者266nm。
8.如權利要求7所述的在碳化硅基板上形成歐姆接觸的系統,其特征在于:所述超快激光模組包括依次排列的超快激光器、第一擴束器、第一反射鏡、第一振鏡及第一場鏡。
9.如權利要求8所述的在碳化硅基板上形成歐姆接觸的系統,其特征在于:所述長脈寬納秒紫外激光模組包括依次排列的長脈寬納秒紫外激光器、第二擴束器、第二反射鏡、第二振鏡及第二場鏡。
10.如權利要求9所述的在碳化硅基板上形成歐姆接觸的系統,其特征在于:所述納米墨水打印模組包括墨水容納罐、墨水打印噴嘴及墨水導入裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





