[發明專利]一種顯示基板及其制作方法

有效

• 申請號: 202011191912.3
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112331675B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 陳發祥;任慶榮;孫丹丹
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L21/324
• 代理公司: 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606
• 代理人: 杜萌

本發明提供了一種顯示基板及其制作方法，顯示基板包括基底，設置于基底上的有機襯底層，設置于有機襯底層上的吸收層，以及設置于所述吸收層上的薄膜晶體管層；所述薄膜晶體管層包括由激光退火工藝形成的結晶半導體層，所述吸收層用于吸收在所述激光退火工藝中透過所述薄膜晶體管層照射到所述吸收層的激光。通過在有機襯底層與薄膜晶體管層間設置吸收層，可以將激光退火工藝形成結晶半導體層的過程中，照射到吸收層上的激光進行吸收，避免有機襯底層吸收激光發生劣化變質。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體而言，涉及一種顯示基板及其制作方法。

背景技術

在制作顯示屏的過程中，通常會在襯底上制作包含薄膜晶體管的顯示器件，而在薄膜晶體管的制作過程中，需要利用ELA(Excimer Laser Annealing，準分子激光退火)工藝使摻雜到多晶硅層中的雜質活化，形成源極區、漏極區與溝道區。然而，現有的襯底材料一般會選用有機材料來作為襯底，采用激光活化時，激光會照射到有機襯底上，會使得襯底層吸收激光發生變質，導致薄膜晶體管基板良率下降，增加了生產成本。

發明內容

為了克服上述技術背景中所提及的技術問題，本申請實施例提供一種顯示基板及其制作方法。

一方面，保護一種顯示基板，包括：

基底；

有機襯底層，設置于所述基底上；

吸收層，設置于所述有機襯底層上；

薄膜晶體管層，設置于所述吸收層上，所述薄膜晶體管層包括由激光退火工藝形成的結晶半導體層；

所述吸收層用于吸收在所述激光退火工藝中透過所述薄膜晶體管層照射到所述吸收層的激光。

進一步地，所述薄膜晶體管層包括：

包括源極區、漏極區和溝道區的所述結晶半導體層；

設置于所述結晶半導體層上的柵極絕緣層；

設置于所述柵極絕緣層上的柵極層；

設置于所述柵極層上的保護層；

所述吸收層劃分有第一吸收區和除第一吸收區以外的第二吸收區，所述第一吸收區的正投影與所述結晶半導體層的正投影重合，所述第二吸收區的材質包括非晶硅、富硅氧化硅、富硅氮化硅中的至少一種。

進一步地，所述薄膜晶體管層包括：

包括源極區、漏極區和溝道區的所述結晶半導體層；

設置于所述結晶半導體層上的柵極絕緣層；

設置于所述柵極絕緣層上的柵極層；

設置于所述柵極層上的保護層；

所述吸收層的正投影與所述結晶半導體層的正投影完全不重合，所述吸收層的材質包括非晶硅、富硅氧化硅、富硅氮化硅中的至少一種。

進一步地，所述第二吸收區靠近所述薄膜晶體管層的表面包括微結晶硅。

進一步地，在所述吸收層與所述薄膜晶體管層之間還包括緩沖層，用于防止雜質擴散到所述薄膜晶體管層。

另一方面，保護一種顯示基板的制作方法，包括以下步驟：

提供基底；

在所述基底上制備有機襯底層；

在所述有機襯底層上制備吸收層，所述吸收層用于吸收照射到其表面的激光；

在所述吸收層上制備薄膜晶體管層，且所述薄膜晶體管層的制備工藝中包含激光退火工藝。