[發(fā)明專利]一種顯示基板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011191912.3
• 申請(qǐng)日: 2020-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN112331675B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳發(fā)祥;任慶榮;孫丹丹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山國(guó)顯光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;H01L21/324
• 代理公司: 北京華進(jìn)京聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606
• 代理人: 杜萌

1.一種顯示基板，其特征在于，包括：

基底；

有機(jī)襯底層，設(shè)置于所述基底上；

吸收層，設(shè)置于所述有機(jī)襯底層上；

薄膜晶體管層，設(shè)置于所述吸收層上，所述薄膜晶體管層包括由激光退火工藝形成的結(jié)晶半導(dǎo)體層；

所述吸收層用于吸收在所述激光退火工藝中透過所述薄膜晶體管層照射到所述吸收層的激光；

所述薄膜晶體管層包括：

包括源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)的所述結(jié)晶半導(dǎo)體層；

設(shè)置于所述結(jié)晶半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層；

設(shè)置于所述柵極絕緣層上的柵極層；

設(shè)置于所述柵極層上的保護(hù)層；

所述吸收層的正投影與所述結(jié)晶半導(dǎo)體層的正投影完全不重合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，

所述吸收層的材質(zhì)包括非晶硅、富硅氧化硅、富硅氮化硅中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，在所述吸收層與所述薄膜晶體管層之間還包括緩沖層，用于防止雜質(zhì)擴(kuò)散到所述薄膜晶體管層。

4.一種顯示基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供基底；

在所述基底上制備有機(jī)襯底層；

在所述有機(jī)襯底層上制備吸收層，所述吸收層用于吸收照射到其表面的激光；

在所述吸收層上制備薄膜晶體管層，且所述薄膜晶體管層的制備工藝中包含激光退火工藝；

在所述吸收層上制備薄膜晶體管層包括：

在所述吸收層上形成非晶硅層，通過第一激光退火工藝將所述非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼樱D案化所述多晶硅層；

對(duì)圖案化后的所述多晶硅層進(jìn)行摻雜；

通過第二激光退火工藝對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行活化，以形成源極區(qū)、漏極區(qū)與溝道區(qū)；

在所述多晶硅層上形成柵極絕緣層、柵極層、保護(hù)層、源/漏極層、鈍化層；

所述吸收層劃分為第一吸收區(qū)與第二吸收區(qū)，所述第一吸收區(qū)與圖案化后的所述多晶硅層的正投影重合，

所述在所述有機(jī)襯底層上制備吸收層還包括，圖案化所述吸收層以去除所述第一吸收區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，在圖案化所述吸收層之后，還包括：

在所述吸收層上制作緩沖層，用于平坦化的同時(shí)防止雜質(zhì)擴(kuò)散到所述薄膜晶體管層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，

所述第二激光退火工藝所采用的激光能量小于所述第一激光退火工藝所采用的激光能量。