[發明專利]雙室高效鍍膜機

在審

• 申請號: 202011191560.1
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112281134A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 金誠明;徐鑫;祝海生;孫桂紅;黃樂;黃國興
• 申請（專利權）人: 湘潭宏大真空技術股份有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/35
• 代理公司: 湖南喬熹知識產權代理事務所(普通合伙) 43262
• 代理人: 安曼

本發明公開一種雙室高效鍍膜機，雙室高效鍍膜機包括運輸臺以及鍍膜系統，所述運輸臺與所述鍍膜系統相連通，所述鍍膜系統包括第一處理室以及第二處理室，所述第一處理室與所述運輸臺連通，所述運輸臺用于承載工件并將所述工件傳輸至所述第一處理室中，所述第一處理室遠離所述運輸臺的一側與所述第二處理室相連通，所述第一處理室用于對所述工件進行前處理并將所述工件傳輸至第二處理室中進行鍍膜。本發明提供了一種鍍膜效率高的雙室高效鍍膜機。

技術領域

本發明涉及真空領域，尤其涉及一種雙室高效鍍膜機。

背景技術

真空鍍膜是目前較為前沿的鍍膜技術，而真空鍍膜中的磁控濺射鍍膜法采用通過通電陽極放出電子，并使電子在電場的加速作用下與真空腔內的氣體分子碰撞，從而使氣體分子電離，而電離的氣體分子又在電場的作用下轟擊陰極上的金屬粒子，使金屬粒子電離濺射，并使得電離出來的金屬離子沉積于靶材表面形成薄膜，其中為了使電子能夠更加高效的與氣體分子進行碰撞，從而提高氣體分子電離率，采用在陰極內部裝入磁鐵形成磁控陰極，因此電子在電場及磁場的共同作用下，將會在真空腔內形成螺旋式軌跡來增加電子與氣體分子的碰撞概率。目前所使用的磁控濺射真空鍍膜機為單加工室，在實際生產中，由于在每次鍍膜前都需要對工件進行處理后再對加工室進行抽真空，因此在上次鍍膜完成后需要重新將加工室內恢復正常氣壓并對工件進行前處理后再重新將加工室內抽取真空，因而會極大地降低鍍膜效率。

發明內容

本發明的主要目的是提供一種雙室高效鍍膜機，旨在提高鍍膜效率。

為實現上述目的，本發明提出的一種雙室高效鍍膜機包括運輸臺以及鍍膜系統，所述運輸臺與所述鍍膜系統相連通，所述鍍膜系統包括第一處理室以及第二處理室，所述第一處理室與所述運輸臺連通，所述運輸臺用于承載工件并將所述工件傳輸至所述第一處理室中，所述第一處理室遠離所述運輸臺的一側與所述第二處理室相連通，所述第一處理室用于對所述工件進行前處理并將所述工件傳輸至第二處理室中進行鍍膜。

在一實施例中，所述運輸臺包括承載架以及滑動設置在所述承載架上的工件架，所述工件架用于承載所述工件，以帶動通過所述工件架帶動所述工件在所述承載架上滑動。

在一實施例中，沿所述運輸臺的長度方向形成有第一工位、第二工位以及第三工位，所述工件架能夠在所述第一工位、所述第二工位以及所述第三工位上流轉，所述第一工位與所述第三工位分設與所述第二工位兩側，第二工位與所述第一處理室相連通。

在一實施例中，所述工件架呈圓形，所述運輸臺還包括驅動電機，所述驅動電機與所述工件架連接，以驅動所述工件架饒其自身軸心旋轉以帶動所述工件做圓周運動。

在一實施例中，所述雙室高效鍍膜機還包括第一阻斷閥和第二阻斷閥，所述第一處理室與所述第三工位之間設有所述第一阻斷閥，所述第一處理室與所述第二處理室之間設有所述第二阻斷閥。

在一實施例中，所述第一處理室外部設有與所述第一處理室的內腔連通的第一安裝倉，所述第二處理室外部設有與所述第二處理室的內腔連通的第二安裝倉，所述第一安裝倉內設有處理裝置，所述第二安裝倉內設有鍍膜裝置。

在一實施例中，所述鍍膜裝置包括至少一對用于對所述工件鍍膜的陰極。

在一實施例中，所述處理裝置為蒸發器、離子源清洗器以及鍍膜裝置中的任一種。

在一實施例中，所述第二處理室的外部還設有與所述第二處理室的內腔連通的電感耦合射頻等離子體激發源。

在一實施例中，所述雙室高效鍍膜機還包括真空抽取系統，所述真空抽取系統與所述第一處理室和/或所述第二處理室連通以對應抽取所述第一處理室和所述第二處理室內的氣體。