[發明專利]一種多孔真空吸盤及其制備方法有效
| 申請號: | 202011189558.0 | 申請日: | 2020-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN112407936B | 公開(公告)日: | 2022-09-02 |
| 發明(設計)人: | 張昕;宋運運;孫正斌;裴亞星;劉勛 | 申請(專利權)人: | 鄭州磨料磨具磨削研究所有限公司 |
| 主分類號: | B65G47/91 | 分類號: | B65G47/91;C04B35/10;C04B38/06;C04B35/48;C04B35/565 |
| 代理公司: | 鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 蔡艷 |
| 地址: | 450001 河*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多孔 真空 吸盤 及其 制備 方法 | ||
本發明屬于真空吸附技術領域,具體涉及一種多孔真空吸盤及其制備方法。所述多孔真空吸盤,包括多孔吸附部件、封接層以及基座,所述多孔吸附部件通過封接層固定在基座上,基座中部具有貫穿的通孔,所述多孔吸附部件的原料為氧化鋁、氧化鋯、ZTA、碳化硅、氮化硅、氧化鋅、氧化鈦、氧化錫、羥基磷灰石或石英中的一種以上;所述封接層的材質為陶瓷、玻璃或樹脂,封接層厚度為10?500μm;所述基座材質為氧化鋁、氧化鋯、ZTA、碳化硅、氮化硅、石英、不銹鋼、鈦合金或鋁合金。本發明的多孔真空吸盤流量損失小,可在被吸附物不能完全覆蓋吸附區域的情況下,實現被吸附物的穩定吸附;不會引起凹陷變形等產品缺陷。
技術領域
本發明屬于真空吸附技術領域,具體涉及一種多孔真空吸盤及其制備方法。
背景技術
多孔真空吸盤作為一種通過抽真空形成負壓來吸附工件的承載平臺,具有高孔隙率、高平整度、吸附力均勻等特點,被廣泛應用于半導體、磁性材料以及光電行業。半導體行業內,多孔真空吸盤的應用最為廣泛,其主要應用于前道的研磨、拋光、勻膠、測試以及后道的背減、劃片、清洗、搬運等工序。
現有多孔真空吸盤的吸附部件主要有兩種制作方法,一種是機械或激光打孔,如圖1(a)所示;一種是堆積成孔及添加造孔劑造孔,如圖2(a)所示?,F有的兩種方法制備的真空吸盤包含多孔吸附部件(圖1中對應102,圖2中對應103)、封接層2以及基座3三部分,多孔吸附部件通過封接層2固定在基座3上。通過打孔方法制作的吸附部件孔徑在200μm-1.5mm之間,為垂直于吸附面的貫通孔,吸附固定性好,但在吸附薄片或薄膜類工件時,較大的孔徑會導致薄片或薄膜類工件在吸附孔區域凹陷變形,從而造成產品缺陷,且單位面積上孔的數量有限,吸附均勻性較差,如圖1(b)所示。堆積成孔及添加造孔劑造孔方法制作的吸附部件孔徑在30μm-2mm之間,受限于造孔工藝,吸附部件的氣孔率為20-50vol%,且孔的結構和取向很難精確控制,孔道彎曲,從而造成流量損失,如圖2(b)所示,限制了吸附力,因此只能吸附能完全覆蓋吸附區域的平整工件(即吸附的工件只能是完全覆蓋吸附區域的被吸附工件702),如果產線上有不同外形和尺寸的工件,就需要購置多種型號的多孔真空吸盤來匹配,一旦工件外形和尺寸發生變化,就必須更換多孔真空吸盤并進行相應的調試,增加了物料成本和時間成本。
鑒于現有技術中存在的問題,需要提供一種在被吸附物不能完全覆蓋吸附區域的情況下,吸附力強、吸附穩定的多孔真空金屬吸盤。
發明內容
為了克服現有技術中的問題,本發明提供了一種多孔真空吸盤。該多孔真空吸盤,可在被吸附物不能完全覆蓋吸附區域的情況下,實現被吸附物的穩定均勻吸附,且不會引起凹陷變形等產品缺陷。
本發明還提供了上述多孔真空吸盤的制備方法。
為實現上述目的,本發明的技術方案如下:
一種多孔真空吸盤,包括多孔吸附部件、封接層以及基座,所述多孔吸附部件通過封接層固定在基座上,基座中部具有貫穿的通孔,所述多孔吸附部件的原料為氧化鋁、氧化鋯、ZTA、碳化硅、氮化硅、氧化鋅、氧化鈦、氧化錫、羥基磷灰石或石英中的一種以上;
所述封接層的材質為陶瓷、玻璃或樹脂,封接層厚度為10-500μm;
所述基座材質為氧化鋁、氧化鋯、ZTA、碳化硅、氮化硅、石英、不銹鋼、鈦合金或鋁合金。
優選的,多孔吸附部件的原料粒徑為0.1-30μm。若粒徑小于0.1μm,干燥和燒結過程中收縮率較大,坯體易開裂破損,得不到設計的孔徑和氣孔率;若粒徑大于30μm時,陶瓷不易燒結,且得到的孔徑大于30μm。
上述多孔真空吸盤的制備方法,包括以下步驟:
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