[發明專利]一種光刻膠剝離方法在審
| 申請號: | 202011188937.8 | 申請日: | 2020-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN114442443A | 公開(公告)日: | 2022-05-06 |
| 發明(設計)人: | 葉聯;彭泰彥;車東晨;吳愧;許開東;胡冬冬 | 申請(專利權)人: | 江蘇魯汶儀器有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/42 | 分類號: | G03F7/42;H01L21/027 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 王美章 |
| 地址: | 221300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光刻 剝離 方法 | ||
1.一種光刻膠剝離方法,采用一具有光刻膠的晶圓,其特征在于,包括以下步驟:
步驟01:將所述晶圓放置于一刻蝕腔體內;所述刻蝕腔體內設置一開設有多個通孔的勻氣盤;所述晶圓置于勻氣盤和微波源之間;
步驟02:自所述晶圓的上方,先后向所述刻蝕腔體內通入氧氣和水,以對所述光刻膠的表層部分進行軟化過程;
步驟03:將步驟02中通入的氧氣和水均排出;
步驟04:自所述晶圓的上方,向所述刻蝕腔體內通入0.2~0.5g水并同時啟動所述微波源,水在下降過程中形成水氣,所述微波源將水氣電離成離子狀態,離子狀態的水氣經勻氣盤下降至所述晶圓,以吸收所述晶圓上附著的氯離子;
步驟05:按照預設干法去膠參數,進行干法去膠,以將所述光刻膠的表層部分及光刻膠剝離;其中,所述預設干法去膠參數包括氧氣的流量和氮氣的流量;所述氧氣和氮氣均自所述晶圓的上方,通入所述刻蝕腔體內;
同時自所述晶圓的上方,繼續向所述刻蝕腔體內通入0.2~0.5g水,以吸收所述晶圓上附著的氯離子。
2.根據權利要求1所述的刻膠剝離方法,其特征在于,步驟04中,微波源的射頻功率為1000~1400W;刻蝕腔體的反應壓力為2000~8000mtorr。
3.根據權利要求1所述的刻膠剝離方法,其特征在于,步驟05中,所述預設干法去膠參數還包括射頻功率和刻蝕腔體的反應壓力;微波源的射頻功率為1000-1400W;刻蝕腔體的反應壓力為2000~8000mtorr。
4.根據權利要求1所述的刻膠剝離方法,其特征在于,步驟05中,所述氧氣流量為2000~4000sccm、氮氣流量為200~800sccm。
5.根據權利要求1所述的刻膠剝離方法,其特征在于,在步驟02中,通入的氧氣總流量為3500sccm,通入時間為30s;通入的水總量為0.6g,通入時間為30s。
6.根據權利要求1所述的刻膠剝離方法,其特征在于,在步驟01中,所述勻氣盤由石英材料制成。
7.根據權利要求1所述的刻膠剝離方法,其特征在于,在步驟01中,所述勻氣盤包括N圈通孔單元,其中,N≥1;所述通孔單元包括沿圓周分布的若干所述通孔;所述通孔單元的半徑不同。
8.根據權利要求1所述的刻膠剝離方法,其特征在于,在步驟05之后,返回至步驟04。
9.根據權利要求1所述的刻膠剝離方法,其特征在于,在步驟01具體包括:
步驟S1:通過一機械手臂裝置將所述晶圓裝載腔內的晶圓送入一刻蝕腔體內的熱臺的正上方;
步驟S2:位于熱臺下方的陶瓷頂針機構升起并依次穿過熱臺和機械手臂裝置的中空區域;以將中空區域上的晶圓頂起;所述晶圓與熱臺之間的距離為9mm。
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