[發明專利]嵌入式管芯封裝件中的框架設計

在審

• 申請號: 202011188718.X
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112750795A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: W·金;M·瑪塔蘇拉;M·松本;K·奧亞;H·T·阮;V·K·阿羅拉;A·波達爾;H·松下
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 袁策

1.一種嵌入式管芯封裝件，其包含：

具有暴露邊界的層，其中所述暴露邊界的至少一部分包含有機材料；

至少一個集成電路管芯，其位于所述層中并在所述暴露邊界內；以及

電介質材料，其位于所述層中并且在所述至少一個集成電路和與所述至少一個集成電路相鄰的結構之間。

2.根據權利要求1所述的嵌入式管芯封裝件，其進一步包含導電構件，所述導電構件在所述層中并且在所述暴露邊界內。

3.根據權利要求2所述的嵌入式管芯封裝件，其中所述導電構件包含非鍍覆的導電構件。

4.根據權利要求3所述的嵌入式管芯封裝件，其進一步包含電介質材料，所述電介質材料位于所述層中并且在所述暴露邊界和所述非鍍覆的導電構件之間。

5.根據權利要求4所述的嵌入式管芯封裝件，其進一步包含電介質材料，所述電介質材料位于所述層中并且在所述至少一個集成電路管芯和所述非鍍覆的導電構件之間。

6.根據權利要求3所述的嵌入式管芯封裝件，其進一步包含電介質材料，所述電介質材料位于所述層中并且在所述至少一個集成電路管芯和所述非鍍覆的導電構件之間。

7.根據權利要求2所述的嵌入式管芯封裝件，其進一步包含電介質材料，所述電介質材料位于所述層中并且在所述至少一個集成電路管芯和所述導電構件之間。

8.根據權利要求7所述的嵌入式管芯封裝件，其進一步包含電介質材料，所述電介質材料位于所述層中并且在所述至少一個集成電路管芯和所述導電構件之間。

9.根據權利要求2所述的嵌入式管芯封裝件，其中所述層包含第一層，并且進一步包含：

第一金屬導體，其在與所述第一層分開的第一金屬層中，所述第一金屬導體電耦合到所述導電構件；以及

第二金屬導體，其在與所述第一層分開的第二金屬層中，所述第二金屬導體電耦合到所述導電構件。

10.根據權利要求9所述的嵌入式管芯封裝件，其中所述第一金屬導體通過導電填充的通孔電耦合到所述導電構件。

11.根據權利要求9所述的嵌入式管芯封裝件，其中所述第一金屬導體通過金屬鍍覆的區域電耦合到所述導電構件。

12.根據權利要求2所述的嵌入式管芯封裝件，其進一步包含有機材料，所述有機材料位于所述層中并且在所述至少一個集成電路管芯和所述導電構件之間。

13.根據權利要求1所述的嵌入式管芯封裝件，其中所述至少一個集成電路管芯包含第一集成電路管芯，并且進一步包含位于所述層中并且在所述暴露邊界內的第二集成電路管芯。

14.根據權利要求13所述的嵌入式管芯封裝件，其進一步包含有機材料，所述有機材料位于所述層中并且在所述第一集成電路管芯和所述第二集成電路管芯之間。

15.根據權利要求1所述的嵌入式管芯封裝件，其中所述至少一個集成電路管芯包括氮化鎵或碳化硅中的一種。

16.根據權利要求1所述的嵌入式管芯封裝件，其中整個所述暴露邊界包含有機材料。

17.一種嵌入式管芯封裝件，其包含：

具有暴露邊界的層，其中所述暴露邊界的至少一部分包含金屬；

至少一個集成電路管芯，其與所述層對齊并在所述暴露邊界內；以及

電介質材料，其位于所述層中并且在所述至少一個集成電路和與所述至少一個集成電路相鄰的結構之間。