[發明專利]光學鄰近修正方法

在審

• 申請號: 202011187204.2
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112230508A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 顧婷婷;張浩;陳翰;宋康
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種光學鄰近修正方法，其特征在于，包括：

步驟S1：將OPC圖形導入OPC軟件中，所述OPC圖形中具有多個特定圖形，執行步驟S2；

步驟S2：選取所述OPC圖形中的任一特定圖形，對所述特定圖形進行光學模擬，以得到模擬圖形，將所述模擬圖形與所述特定圖形重疊，將所述特定圖形的相鄰的兩邊分別切割成n段，n≥3，執行步驟S3；

步驟S3：選取n段中的一段或兩段作為操作段，分別計算出每個所述操作段與所述模擬圖形的最小距離，執行步驟S4；

步驟S4：根據所述最小距離將對應的操作段移動一單位移動量，每移動一次進行一次光學模擬，以更新所述模擬圖形，每次更新所述模擬圖形之后，重新計算每個所述操作段與所述模擬圖形的最小距離，執行步驟S5；

步驟S5：判斷每個所述最小距離與一閾值的大小，當任一所述最小距離大于所述閾值時，執行步驟S4；當每個所述最小距離均小于所述閾值時，執行步驟S6；

步驟S6：利用每個所述操作段的移動量之和一次性修正OPC圖形中的所有特定圖形，并更新所述OPC圖形。

2.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，在步驟S4中，根據所述最小距離將對應的操作段移動所述單位移動量時，同步移動所有所述操作段，或者單獨移動任一所述操作段。

3.如權利要求2所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，在步驟S4中，不移動所述最小距離小于所述閾值的操作段。

4.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，當n為奇數時，選取n段中的中心的一段作為所述操作段；當n為偶數時，選取n段中的中心的兩段作為所述操作段。

5.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述OPC圖形對應所述存儲芯片中的金屬層的圖形。

6.如權利要求5所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述特定圖形為矩形。

7.如權利要求6所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述矩形的邊長為金屬層設計規則最小尺寸的2倍～3倍。

8.如權利要求7所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述金屬層設計規則最小尺寸為75納米～100納米。

9.如權利要求8所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述操作段的長度分別為L1和L2，n段中的除去操作段的其他段的長度相等且均為L3，L3等于所述金屬層設計規則最小尺寸的0.7倍。

10.如權利要求9所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，L3≤L1≤2×L3且L3≤L2≤2×L3。

11.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述單位移動量為2納米～5納米。

12.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，執行步驟S6之后，還執行步驟S7，

步驟S7：將更新所述OPC圖形柵格化，對所述OPC圖形中除去所有所述特定圖形的其他圖形進行修正，以得到所述OPC圖形的目標修正圖形。