[發(fā)明專(zhuān)利]光學(xué)鄰近修正方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011187204.2
• 申請(qǐng)日: 2020-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112230508A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧婷婷;張浩;陳翰;宋康
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F1/36
• 分類(lèi)號(hào): G03F1/36
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發(fā)明提供了一種光學(xué)鄰近修正方法，包括：將OPC圖形導(dǎo)入OPC軟件中，所述OPC圖形中具有多個(gè)特定圖形；選取所述OPC圖形中的任一特定圖形，對(duì)所述特定圖形進(jìn)行光學(xué)模擬，以得到模擬圖形，將所述模擬圖形與所述特定圖形重疊，將所述特定圖形的相鄰的兩邊分別切割成n段，n≥3；選取n段中的一段或兩段作為操作段，分別計(jì)算出每個(gè)所述操作段與所述模擬圖形的最小距離；根據(jù)所述最小距離將對(duì)應(yīng)的操作段移動(dòng)一單位移動(dòng)量，每移動(dòng)一次進(jìn)行一次光學(xué)模擬，以更新所述模擬圖形，每次更新所述模擬圖形之后，重新計(jì)算每個(gè)所述操作段與所述模擬圖形的最小距離。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中OPC圖形的光學(xué)鄰近修正受柵格切分影響導(dǎo)致OPC圖形存在修正誤差的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光學(xué)鄰近修正方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體器件尺寸的微縮，對(duì)現(xiàn)有工藝的要求越來(lái)越高，器件的關(guān)鍵尺寸的一致性要求也日益苛刻，特別是存儲(chǔ)芯片的圖形設(shè)計(jì)具有重復(fù)性高，圖形關(guān)鍵尺寸接近于該產(chǎn)品節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)尺寸的下限，甚至?xí)瘸叽缦孪薷站o等特點(diǎn)。在設(shè)計(jì)后的存儲(chǔ)芯片的OPC圖形到圖形實(shí)際成像過(guò)程中必然存在一定誤差范圍，所以需要對(duì)存儲(chǔ)芯片的OPC圖形進(jìn)行修正。

在應(yīng)用OPC軟件對(duì)OPC圖形進(jìn)行修正時(shí)，為了加快處理速度，OPC軟件會(huì)將OPC圖形柵格化，然后對(duì)柵格化后的OPC圖形的子模塊同步處理進(jìn)行修正，再把OPC圖形的子模塊集成為修正后的OPC圖形。然而在將OPC圖形柵格化后，OPC圖形中的部分圖形被切分到不同柵格中再進(jìn)行處理，在對(duì)OPC圖形光學(xué)模擬后，OPC軟件對(duì)不同柵格進(jìn)行處理時(shí)，會(huì)從不同柵格中隨機(jī)取樣，計(jì)算取樣點(diǎn)到OPC圖形的最小距離來(lái)得知此柵格中的修正移動(dòng)量；然而在一個(gè)柵格中取樣點(diǎn)不同，計(jì)算得到此柵格中的修正移動(dòng)量會(huì)不同，隨機(jī)取樣導(dǎo)致修正移動(dòng)量不同，最終導(dǎo)致修正后的OPC圖形產(chǎn)生修正誤差，這些誤差可能會(huì)導(dǎo)致在成像后上下通孔的覆蓋面積不夠或者相鄰的圖形形成連接導(dǎo)致短路等問(wèn)題，最終導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片的穩(wěn)定性低，風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)不可控。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種光學(xué)鄰近修正方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中OPC圖形的光學(xué)鄰近修正受柵格切分影響導(dǎo)致OPC圖形存在修正誤差的問(wèn)題。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種光學(xué)鄰近修正方法，包括：

步驟S1：將OPC圖形導(dǎo)入OPC軟件中，所述OPC圖形中具有多個(gè)特定圖形，執(zhí)行步驟S2；

步驟S2：選取所述OPC圖形中的任一特定圖形，對(duì)所述特定圖形進(jìn)行光學(xué)模擬，以得到模擬圖形，將所述模擬圖形與所述特定圖形重疊，將所述特定圖形的相鄰的兩邊分別切割成n段，n≥3，執(zhí)行步驟S3；

步驟S3：選取n段中的一段或兩段作為操作段，分別計(jì)算出每個(gè)所述操作段與所述模擬圖形的最小距離，執(zhí)行步驟S4；

步驟S4：根據(jù)所述最小距離將對(duì)應(yīng)的操作段移動(dòng)一單位移動(dòng)量，每移動(dòng)一次進(jìn)行一次光學(xué)模擬，以更新所述模擬圖形，每次更新所述模擬圖形之后，重新計(jì)算每個(gè)所述操作段與所述模擬圖形的最小距離，執(zhí)行步驟S5；

步驟S5：判斷每個(gè)所述最小距離與一閾值的大小，當(dāng)任一所述最小距離大于所述閾值時(shí)，執(zhí)行步驟S4；當(dāng)每個(gè)所述最小距離均小于所述閾值時(shí)，執(zhí)行步驟S6；

步驟S6：利用每個(gè)所述操作段的移動(dòng)量之和一次性修正OPC圖形中的所有特定圖形，并更新所述OPC圖形。

可選的，在步驟S4中，根據(jù)所述最小距離將對(duì)應(yīng)的操作段移動(dòng)所述單位移動(dòng)量時(shí)，同步移動(dòng)所有所述操作段，或者單獨(dú)移動(dòng)任一所述操作段。

可選的，在步驟S4中，不移動(dòng)所述最小距離小于所述閾值的操作段。

可選的，當(dāng)n為奇數(shù)時(shí)，選取n段中的中心的一段作為所述操作段；當(dāng)n為偶數(shù)時(shí)，選取n段中的中心的兩段作為所述操作段。

可選的，所述OPC圖形對(duì)應(yīng)所述存儲(chǔ)芯片中的金屬層的圖形。