[發明專利]硅片處理設備在審
| 申請號: | 202011187197.6 | 申請日: | 2020-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN112226745A | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發明(設計)人: | 左國軍;梁建軍;楊虎;候岳明;朱海劍;柳昆鵬 | 申請(專利權)人: | 常州捷佳創精密機械有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/50;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;王淑梅 |
| 地址: | 213133 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 處理 設備 | ||
本發明提供了一種硅片處理設備,硅片處理設備包括:硅片加工組件,硅片加工組件上設置有輸入端和輸出端,輸入端適于接收載板,輸出端適于輸出載板;載板傳送組件,載板傳送組件包括:導軌,導軌的兩端分別與輸入端和輸出端相連接;傳輸裝置,設置于導軌上,傳輸裝置能夠沿導軌運動,傳輸裝置上設置有腔體;其中,輸出端輸出的載板存入腔體后,經傳輸裝置將載板輸送至輸入端。通過設置由導軌和傳輸裝置組成的載板傳送組件,取締了皮帶輸送機,一方面精簡了硅片處理設備的結構,縮減載板傳送組件所占空間。通過在傳送裝置上設置腔體,可以從密封結構上進一步精簡硅片處理設備的結構。
技術領域
本發明涉及光伏設備技術領域,具體而言,涉及一種硅片處理設備。
背景技術
光伏板式PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)工藝中,在硅片鍍膜完成后需要將硅片卸下,硅片流轉入下一道工序,此時的載板上面已經沒有了硅片,需要再傳輸至PECVD設備的上料端。傳統的板式PECVD載板回傳裝置是在腔體下方布置多段皮帶輸送機,將空的載板傳輸至PECVD設備的上料端。皮帶輸送機會占用腔體下方的空間,腔體下方皮帶輸送機故障或者腔體下的其他元器件故障時維護檢修不方便。另外,隨著鍍膜工藝越來越嚴格,特別是異質結技術中,為了避免載板在回傳過程中的污染,需要將載板在回傳的過程中密封,如果再在皮帶輸送機的外圍增加一套密封裝置,無疑又進一步擠占了腔體下方的空間,而且增加的密封外殼,又增加了自身皮帶輸送機的維護難度。
因此,如何設計出一種結構精簡、便于維護,且可以保證載板不受空氣污染的硅片處理設備成為亟待解決的技術問題。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術或相關技術中存在的技術問題之一。
為此,本發明的提出一種硅片處理設備。
有鑒于此,本發明提供了一種硅片處理設備,硅片處理設備包括:硅片加工組件,硅片加工組件上設置有輸入端和輸出端,輸入端適于接收載板,輸出端適于輸出載板;載板傳送組件,載板傳送組件包括:導軌,導軌的兩端分別與輸入端和輸出端相連接;傳輸裝置,設置于導軌上,傳輸裝置能夠沿導軌運動,傳輸裝置上設置有腔體;其中,輸出端輸出的載板存入腔體后,經傳輸裝置將載板輸送至輸入端。
在該技術方案中,限定了一種硅片處理設備,用于對硅片表面執行鍍膜處理,處理過程中,硅片放置在載板上,載板作為載體承載硅片完成工藝加工。硅片處理設備包括硅片加工組件和載板傳送組件。硅片加工組件為工藝處理設備,硅片在硅片加工組件內部完成鍍膜處理,其中硅片加工組件上設置有輸入端和輸出端,放置有待加工硅片的載板由輸入端進入硅片加工組件內部以完成加工,完成加工后,載板承載著成品硅片由輸出端傳出硅片加工組件。載板傳送組件為硅片處理設備中的載板回傳裝置,用于將由輸出端傳出的載板回傳至輸入端,從而結合硅片加工組件完成載板的循環。載板傳送組件包括導軌和傳送裝置,導軌的兩端分別連接硅片加工組件上的輸入端和輸出端,傳送裝置設置在導軌上并與導軌配合相連,當輸出端所傳出的載板上的硅片被取出后,傳輸裝置接收載板并沿導軌將載板傳送至輸出端。其中傳輸裝置上設置有腔體,由輸出端傳出的載板被傳輸裝置接收后存放在腔體中。
通過設置由導軌和傳輸裝置組成的載板傳送組件,取締了皮帶輸送機,一方面精簡了硅片處理設備的結構,縮減載板傳送組件所占空間。另一方面,導軌和傳輸裝置所組成的載板傳送組件,拆裝簡單,維護難度低,在檢修和更換部件時,便于用戶操作。另外常規皮帶傳送機上的動力裝置在工作過程中容易與皮帶和載板出現干涉,易出現卡板問題,本申請通過設置導軌和傳送裝置有效降低了干涉概率,防止出現卡板現象。通過在傳送裝置上設置腔體,可以從密封結構上進一步精簡硅片處理設備的結構,在傳送裝置上設置密封的腔體可以免去在整個載板傳送組件的延伸區域設置大面積的密封裝置,一方面縮減硅片處理設備所占用空間,另一方面縮減了生產成本。進而實現了優化硅片處理設備結構,縮減硅片處理設備所占空間,降低載板傳送組件的維護難度和故障率,提升用戶使用體驗的技術效果。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





