[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202011187026.3 | 申請日: | 2020-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN112310183A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | 夏維;高濤;郭遠征;李杰;任懷森 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G06F3/041;G06F3/044 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發明實施例提供一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,該顯示基板包括基底、設置在所述基底上的發光結構層、設置在所述發光結構層上的彩膜結構層以及設置在所述彩膜結構層上的觸控結構層,所述發光結構層包括陰極層,所述觸控結構層包括多個觸控電極,所述彩膜結構層包括彩色濾光層以及圍繞所述彩色濾光層四周的遮光層,所述遮光層包括互相絕緣的第一導電部和第二導電部,所述第一導電部作為輔助陰極,與所述陰極層連接,所述第二導電部作為橋電極,將相鄰所述觸控電極橋連接;能夠減少顯示基板中的膜層,減少工序,降低顯示基板厚度。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting Diode,OLED)是未來顯示產品的發展趨勢,具有視角寬、響應速度快、亮度高、對比度高、色彩鮮艷、重量輕、厚度薄、功耗低等一系列優點。目前,有機發光二極管顯示裝置已經開始應用于手機屏幕。
將彩膜技術與OLED進行集成是柔性面板發展方向之一,相比于偏光片技術,能夠降低顯示基板的厚度,提升耐彎折性能,提高顯示基板亮度。彩膜結構包括彩色濾光層以及遮光層,遮光層能夠降低顯示基板的反射率,遮光層的材質普遍使用黑色樹脂。
對于頂發射發光器件,陰極為半透膜,以保證發光器件的出光率。為了提高陰極金屬材料的透明度,需要降低陰極的厚度,陰極厚度一般為幾十納米。然而,由于陰極厚度較薄,會極大的增加電阻。高電阻的陰極會導致壓降的提高,從而造成屏幕顯示亮暗不均,降低顯示質量。通過采用輔助電極以減低陰極的電阻,從而降低壓降。
然而,在顯示基板中分別增加彩膜結構、輔助陰極以及觸控結構等膜層,增加了顯示基板的厚度,增加顯示基板的制備工序,提高生產成本。
發明內容
本發明實施例所要解決的技術問題是,提供一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,能夠減少顯示基板中的膜層,降低顯示基板厚度,減少工序,降低生產成本。
為了解決上述技術問題,本發明實施例提供了一種顯示基板,包括基底、設置在所述基底上的發光結構層、設置在所述發光結構層上的彩膜結構層以及設置在所述彩膜結構層上的觸控結構層,所述發光結構層包括陰極層,所述觸控結構層包括多個觸控電極,所述彩膜結構層包括彩色濾光層以及圍繞所述彩色濾光層四周的遮光層,所述遮光層包括互相絕緣的第一導電部和第二導電部,所述第一導電部作為輔助陰極,與所述陰極層連接,所述第二導電部作為橋電極,將相鄰所述觸控電極橋連接。
在示例性實施方式中,所述陰極層中開設有開口,所述開口在所述基底上的正投影與所述第二導電部在所述基底上的正投影重疊。
在示例性實施方式中,所述第一導電部和所述第二導電部形成于同一膜層中。
在示例性實施方式中,還包括設置在所述發光結構層上的封裝層,所述封裝層包括位于所述陰極層與所述遮光層之間的第一無機層,所述第一無機層中形成有與所述陰極層連通的第一開孔,所述第一導電部通過第一開孔與所述陰極層連接。
在示例性實施方式中,還包括設置在所述發光結構層上的封裝層,所述封裝層包括位于所述遮光層與所述觸控結構層之間的第一有機層,所述第一有機層中形成有與所述觸控電極連通的第二開孔,所述第二導電部通過第二開孔與所述觸控電極橋連接。
在示例性實施方式中,還包括設置在所述發光結構層上的封裝層,所述封裝層包括設置于所述觸控結構層上的第二有機層以及設置在所述第二有機層上的第二無機層。
在示例性實施方式中,所述遮光層采用黑色導電材料。
本發明實施例還提供了一種顯示裝置,包括前面任一所述的顯示基板。
本發明實施例還提供了一種顯示基板的制備方法,包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





