[發明專利]加熱組件和硅片加工設備在審
| 申請號: | 202011186868.7 | 申請日: | 2020-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN112309917A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | 左國軍;梁建軍;朱海劍 | 申請(專利權)人: | 常州捷佳創精密機械有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;胡曉明 |
| 地址: | 213133 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱 組件 硅片 加工 設備 | ||
本發明提出了一種加熱組件和硅片加工設備。加熱組件包括:板體;加熱件,設于板體的底部;板體的頂部設有應力槽,其中,應力槽為盲槽。通過本發明的技術方案,有效地提升了加熱組件的溫度均勻性,減少了板體變形的現象,還延長了加熱件的使用壽命,提升加熱件工作的穩定性。
技術領域
本發明涉及到太陽能電池生產技術領域,具體而言,涉及一種加熱組件和一種硅片加工設備。
背景技術
在PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等離子體增強化學的氣相沉積法)鍍膜設備中,硅片進行鍍膜工藝時,載板上硅片的溫度和其整體均勻性直接影響著硅片上的成膜效果,進而最終影響電池片的轉化效率,而硅片的溫度和均勻性主要由設備內部的加熱器決定。
在PECVD鍍膜設備中,為了高產能,放置硅片的載板越來越大,相應地,鋁板加熱器也跟著越來越大。由于鋁板的熱膨脹系數大,鋁板加熱器會因為鋁板上下表面存在的溫度差而膨脹大小不均,引起應力集中,導致鋁板變形。同時由于鋁板加熱器上幾個加熱區間的相互干擾,鋁板加熱器上的整體溫度均勻性越來越難得到保證。另外,由于工藝氣體中存在腐蝕性氣體,加熱器中的加熱絲會被腐蝕生銹,嚴重影響了加熱器的加熱效果。
發明內容
根據本發明的實施例旨在至少改善現有技術或相關技術中存在的技術問題之一。
有鑒于此,根據本發明的實施例的一個目的在于提供一種加熱組件。
根據本發明的實施例的另一個目的在于提供一種硅片加工設備。
為了實現上述目的,根據本發明第一方面的實施例提供了一種加熱組件,包括:板體;加熱件,設于板體的底部;板體的頂部設有應力槽,其中,應力槽為盲槽。
在該技術方案中,通過在板體的頂部設置應力槽,便于通過應力阻斷因溫差而產生的應力進行傳遞和集中,從而有利于減少板體因為應力引起的變形,有利于提升板體上溫度的均勻性。
具體地,在板體的底部設置加熱件,可以為板體提供熱源,從而實現加熱的功能。加熱件設置在板體的底部,而不是設置在板體的頂部,可以避免與板體頂部的待加熱的硅片直接接觸,從而避免溫度過高導致硅片損壞。同時,加熱件設置在板體的底部,還可以通過板體傳遞熱量,提升板體本身溫度的均勻性,從而確保加熱組件上的多個硅片可以得到均勻的加熱。應力槽設置在板體的頂部,可以阻斷溫度應力的集中和傳遞,減少板體的變形,提升板體的溫度均勻性。應力槽設置為盲槽,使得板體在應力槽的位置處,厚度相對減薄,可以起到阻斷應力,減少應力集中的作用,同時又使得板體依然具有一定的連續性,有利于熱量的傳遞,提升板體溫度的均勻性。
在上述技術方案中,應力槽的數量為多個,多個應力槽中,一部分應力槽在板體上橫向設置,另一部分應力槽在板體上縱向設置。
在該技術方案中,將應力槽的數量設置為多個,且一部分應力槽在板體上橫向設置,另一部分應力槽在板體上縱向設置,即多個應力槽中,設置的方向不完全相同。通過將多個應力槽的方向沿不同方向設置,有利于減弱板體上各個方向的應力,進一步地減小板體因溫差而發生的變形。
在上述任一項技術方案中,板體的底部還設有收納槽,加熱件設于收納槽內。
在該技術方案中,通過在板體的底部設置收納槽,并將加熱件設置在收納槽內,可以減小板體整體占用的空間。另外,加熱件設置在收納槽內,增加了加熱件與板體之間的接觸面積,有利于提升加熱件所產生的熱量被板體吸收的數量,從而提升加熱效率。
在上述任一項技術方案中,板體的底部還設有多個加熱區;每個加熱區上分別設有加熱件;板體上還設有隔斷槽,相鄰的加熱區之間設有隔斷槽,隔斷槽貫穿板體的頂部和底部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





