[發(fā)明專利]加熱組件和硅片加工設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011186868.7 | 申請日: | 2020-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN112309917A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 左國軍;梁建軍;朱海劍 | 申請(專利權(quán))人: | 常州捷佳創(chuàng)精密機械有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京友聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;胡曉明 |
| 地址: | 213133 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 加熱 組件 硅片 加工 設備 | ||
1.一種加熱組件,其特征在于,包括:
板體(100);
加熱件(140),設于所述板體(100)的底部;
所述板體(100)的頂部設有應力槽(102),
其中,所述應力槽(102)為盲槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱組件,其特征在于,
所述應力槽(102)的數(shù)量為多個,多個所述應力槽(102)中,一部分所述應力槽(102)在所述板體(100)上橫向設置,另一部分所述應力槽(102)在所述板體(100)上縱向設置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的加熱組件,其特征在于,
所述板體(100)的底部還設有收納槽(104),所述加熱件(140)設于所述收納槽(104)內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的加熱組件,其特征在于,
所述板體(100)的底部還設有多個加熱區(qū);
每個所述加熱區(qū)上分別設有所述加熱件(140);
所述板體(100)上還設有隔斷槽(106),相鄰的所述加熱區(qū)之間設有所述隔斷槽(106),所述隔斷槽(106)貫穿所述板體(100)的頂部和底部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加熱組件,其特征在于,
所述隔斷槽(106)的數(shù)量為多個,多個所述隔斷槽(106)間隔地分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加熱組件,其特征在于,
多個所述加熱區(qū)在所述板體(100)上由內(nèi)向外依次分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的加熱組件,其特征在于,
多個所述加熱區(qū)中的所述加熱件(140)的數(shù)量,由內(nèi)向外逐漸增加。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加熱組件,其特征在于,還包括:
隔氣件(160),設于所述板體(100)的底部,并覆蓋在所述收納槽(104)上,所述隔氣件(160)用于防護所述加熱件(140)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加熱組件,其特征在于,還包括:
出線密封法蘭(180),設于所述板體(100)的底部,所述加熱件(140)的兩端從所述出線密封法蘭(180)處引出。
10.一種硅片加工設備,其特征在于,包括:
加工腔體(200);
如權(quán)利要求1至9中任一項所述的加熱組件,至少部分所述加熱組件設于所述加工腔體(200)內(nèi),所述加熱組件(10)用于在所述加工腔體(200)內(nèi)加熱硅片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





