[發(fā)明專利]一種反應(yīng)磁控濺射分離式布?xì)夥?/span>有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011186430.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112281126B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-11-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈江民 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 河南卓金光電科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司: | 鄭州芝麻知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 41173 | 代理人: | 李慧敏 |
| 地址: | 471942 河*** | 國(guó)省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 反應(yīng) 磁控濺射 分離 式布?xì)夥?/a> | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種反應(yīng)磁控濺射分離式布?xì)夥?,包括氣體流量控制儀、密封箱、磁控濺射等離子體物理面基本擋板、被濺射玻璃基片,所述氣體流量控制儀下端連接有所述密封箱,所述氣體流量控制儀前端設(shè)置有氣體流量顯示窗口,所述氣體流量控制儀一側(cè)設(shè)置有進(jìn)氣管,所述進(jìn)氣管出氣端連接氣體流量計(jì),所述氣體流量計(jì)通過(guò)連接頭連接氣體通斷電磁閥,所述氣體通斷電磁閥通過(guò)連接管連接欒生對(duì)靶布?xì)夥至魅?,所述欒生?duì)靶布?xì)夥至魅▋啥司B接有氣體輸入管,所述氣體輸入管出氣端連接迷宮布?xì)庋b置。本發(fā)明解決了反應(yīng)磁控濺射鍍膜傳統(tǒng)混合氣體輸入法所存在的濺射速率較低、靶表面易結(jié)瘤的問(wèn)題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及反應(yīng)磁控濺射鍍膜領(lǐng)域,特別是涉及一種反應(yīng)磁控濺射分離式布?xì)夥ā?/p>
背景技術(shù)
在反應(yīng)磁控濺射鍍膜過(guò)程中、濺射粒子與反應(yīng)氣體的作用不僅發(fā)生在基片表面而且也發(fā)生在濺射靶材表面,當(dāng)濺射靶材表面沉積一定數(shù)量的氧化物時(shí)就會(huì)形成結(jié)瘤,靶面出現(xiàn)打火現(xiàn)象、濺射等離子體失去穩(wěn)定,俗稱的靶中毒。
目前在反應(yīng)磁控濺射鍍膜行業(yè)均在使用傳統(tǒng)的混合氣體輸入法,工作氣體和反應(yīng)氣體通過(guò)混合裝置后輸入氣體流量控制系統(tǒng),混合氣體輸入法具有兩種氣體擴(kuò)散更均勻、節(jié)省一組布?xì)庋b置和占用空間等優(yōu)點(diǎn),但由于反應(yīng)氣體距離濺射靶面太近很容易造成靶中毒。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就在于為了解決上述問(wèn)題而提供一種反應(yīng)磁控濺射分離式布?xì)夥ā?/p>
本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的:
一種反應(yīng)磁控濺射分離式布?xì)夥ǎ怏w流量控制儀、密封箱、磁控濺射等離子體物理面基本擋板、被濺射玻璃基片,所述氣體流量控制儀下端連接有所述密封箱,所述氣體流量控制儀前端設(shè)置有氣體流量顯示窗口,所述氣體流量控制儀一側(cè)設(shè)置有進(jìn)氣管,所述進(jìn)氣管出氣端連接氣體流量計(jì),所述氣體流量計(jì)通過(guò)連接頭連接氣體通斷電磁閥,所述氣體通斷電磁閥通過(guò)連接管連接欒生對(duì)靶布?xì)夥至魅?,所述欒生?duì)靶布?xì)夥至魅▋啥司B接有氣體輸入管,所述氣體輸入管出氣端連接迷宮布?xì)庋b置,所述迷宮布?xì)庋b置上設(shè)置有迷宮布?xì)庋b置氣體擴(kuò)散小孔,所述密封箱前端設(shè)置有密封蓋,所述密封箱內(nèi)部設(shè)置有被濺射玻璃基片,所述被濺射玻璃基片下側(cè)設(shè)置有兩個(gè)磁控濺射旋轉(zhuǎn)陰極對(duì)靶工作氣體迷宮布?xì)庋b置,所述磁控濺射旋轉(zhuǎn)陰極對(duì)靶工作氣體迷宮布?xì)庋b置下側(cè)設(shè)置有磁控濺射等離子體物理面基本擋板,所述磁控濺射等離子體物理面基本擋板之間設(shè)置有磁控濺射等離子體物理面可調(diào)控?fù)醢?,所述磁控濺射等離子體物理面基本擋板上前側(cè)和兩側(cè)成型有連接絲孔,所述磁控濺射等離子體物理面基本擋板下側(cè)設(shè)置有兩個(gè)磁控濺射旋轉(zhuǎn)陰極對(duì)靶反應(yīng)氣體迷宮布?xì)庋b置,所述磁控濺射旋轉(zhuǎn)陰極對(duì)靶工作氣體迷宮布?xì)庋b置和所述磁控濺射旋轉(zhuǎn)陰極對(duì)靶反應(yīng)氣體迷宮布?xì)庋b置內(nèi)部均連接有迷宮布?xì)庋b置,所述磁控濺射旋轉(zhuǎn)陰極對(duì)靶反應(yīng)氣體迷宮布?xì)庋b置下側(cè)設(shè)置有兩個(gè)磁控濺射旋轉(zhuǎn)陰極欒生對(duì)靶,所述磁控濺射旋轉(zhuǎn)陰極欒生對(duì)靶內(nèi)側(cè)設(shè)置有磁控濺射旋轉(zhuǎn)陰極欒生對(duì)靶磁控磁場(chǎng)源。
優(yōu)選的:所述氣體流量控制儀設(shè)置有兩組,分別連接外部的氬氣和氧氣,且第一組的所述連接管連接所述磁控濺射旋轉(zhuǎn)陰極對(duì)靶工作氣體迷宮布?xì)庋b置內(nèi)側(cè)的所述迷宮布?xì)庋b置,第二組的所述連接管連接所述磁控濺射旋轉(zhuǎn)陰極對(duì)靶反應(yīng)氣體迷宮布?xì)庋b置內(nèi)側(cè)的所述迷宮布?xì)庋b置。
如此設(shè)置,利用兩組所述氣體流量控制儀分別控制氬氣和氧氣,從而提高控制精度。
優(yōu)選的:所述連接頭通過(guò)螺紋連接所述氣體流量計(jì)和所述氣體通斷電磁閥,所述連接管通過(guò)螺紋連接所述氣體通斷電磁閥和所述欒生對(duì)靶布?xì)夥至魅ā?/p>
如此設(shè)置,通過(guò)螺紋連接保證了,密封效果。
優(yōu)選的:所述連接絲孔成型于所述磁控濺射等離子體物理面基本擋板,所述磁控濺射等離子體物理面基本擋板通過(guò)螺釘連接所述密封箱,所述磁控濺射等離子體物理面可調(diào)控?fù)醢寤瑒?dòng)連接所述磁控濺射等離子體物理面基本擋板。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





