[發(fā)明專利]熱固性片材及切割芯片接合薄膜

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011185403.X
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112778694A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設計）人: 市川智昭;三田亮太
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C08L61/06
• 分類號: C08L61/06;C08L63/00;C08L33/00;C08K13/06;C08K9/10;C08K3/08;C08K5/05;C08J5/18;B32B27/36;B32B27/30;B32B27/08;B32B27/06;B32B27/20
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

本發(fā)明涉及熱固性片材及切割芯片接合薄膜。本發(fā)明的熱固性片材包含熱固性樹脂、揮發(fā)成分和導電性顆粒，該熱固性片材在200mL/分鐘的氮氣氣流下以10℃/分鐘的升溫條件從室溫升溫至100℃并在100℃下保持30分鐘時的失重率W₁為0.5質(zhì)量％以下，在200mL/分鐘的氮氣氣流下以10℃/分鐘的升溫條件從100℃升溫至200℃并在200℃下保持30分鐘時的失重率W₂為2質(zhì)量％以上。

[相關申請的相互參照]

本申請主張日本特愿2019-203291號的優(yōu)先權，通過引用而并入本申請說明書的記載。

技術領域

本發(fā)明涉及熱固性片材及切割芯片接合薄膜。

背景技術

一直以來，作為在半導體裝置的制造中將半導體元件粘接于金屬引線框等被粘物的方法(芯片接合法)，已知有使用熱固性片材的方法(例如專利文獻1)。

專利文獻1中作為熱固性片材公開了包含導電性顆粒和熱固性樹脂的熱固性片材。

在這種方法中，熱固性片材通過在一面具備半導體元件的狀態(tài)下以規(guī)定溫度(例如70℃)將另一面臨時粘合于金屬引線框等被粘物后，以比此更高的溫度(例如200℃)進行熱固化，從而粘接于前述被粘物。

然而，在半導體裝置中使用功率半導體元件的情況下，功率半導體元件在幾MVA以上的大電力下使用，因此會產(chǎn)生大的發(fā)熱量。

因此，在將如上所述的熱固性片材用于功率半導體元件的情況下，優(yōu)選粘接于被粘物后的熱固性片材、即固化后的熱固性片材具有高的散熱性。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2019-21813號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

在使用除功率半導體元件以外的半導體元件的情況下也同樣會發(fā)生如上所述的發(fā)熱的問題。

然而，關于提高固化后的熱固性片材的散熱性，還很難說已進行了充分的研究。

因此，本發(fā)明的課題在于提供固化后的散熱性較高的熱固性片材、及具備該熱固性片材的切割芯片接合薄膜。

用于解決問題的方案

本發(fā)明的熱固性片材包含：

熱固性樹脂、揮發(fā)成分和導電性顆粒，

該熱固性片材在200mL/分鐘的氮氣氣流下以10℃/分鐘的升溫條件從室溫升溫至100℃并在100℃下保持30分鐘時的失重率W₁為0.5質(zhì)量％以下，在200mL/分鐘的氮氣氣流下以10℃/分鐘的升溫條件從100℃升溫至200℃并在200℃下保持30分鐘時的失重率W₂為2質(zhì)量％以上。

在前述熱固性片材中，優(yōu)選的是，

前述揮發(fā)成分包含1個以上的羥基且沸點為250℃以上。

在前述熱固性片材中，優(yōu)選的是，

前述揮發(fā)成分為萜烯化合物。

在前述熱固性片材中，優(yōu)選的是，

前述導電性顆粒為燒結性金屬顆粒。

優(yōu)選的是，前述燒結性金屬顆粒包含燒結性金屬的納米顆粒聚集而得到的聚集納米顆粒，

前述聚集納米顆粒在前述燒結性金屬顆粒的總質(zhì)量中所占的質(zhì)量比率為50質(zhì)量％以上且90質(zhì)量％以下。