[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號： | 202011184929.6 | 申請日： | 2020-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN112310196B | 公開（公告）日： | 2023-02-17 |
| 發明（設計）人： | 陳發祥;白青;孫丹丹 | 申請（專利權）人： | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/423;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/84;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛異榮 |
| 地址： | 230037 安徽省合*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，其特征在于，包括：
含氫層；所述含氫層包括第一含氫絕緣層；
氧化物半導體薄膜晶體管，所述氧化物半導體薄膜晶體管包括第一柵極；
吸氫層，所述吸氫層位于所述含氫層和所述氧化物半導體薄膜晶體管之間，所述吸氫層的材料包括氧化物半導體材料；
所述吸氫層包括第一吸氫層，所述第一吸氫層位于部分所述第一含氫絕緣層和所述氧化物半導體薄膜晶體管之間；所述第一吸氫層具有導電性，所述第一吸氫層的導電性適于在第一吸氫層經過吸氫后提高；第一吸氫層作為所述氧化物半導體薄膜晶體管的第二柵極。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述吸氫層的材料為氧化銦鎵鋅。
3.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，還包括：
基板；
所述第一含氫絕緣層位于所述基板上；
所述氧化物半導體薄膜晶體管位于部分所述第一含氫絕緣層背向所述基板的一側。
4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括：
所述第一含氫絕緣層的材料為氮化硅。
5.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，
所述第一吸氫層中載子濃度大于或等于1E16/cm3。
6.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，
所述第一吸氫層的厚度的取值范圍大于或等于500埃。
7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，
所述第一吸氫層的厚度的取值范圍大于或等于500埃，且小于或等于1500埃。
8.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，
所述氧化物半導體薄膜晶體管包括氧化物半導體有源層；
所述第一柵極位于所述氧化物半導體有源層背向所述基板 的一側。
9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，
所述第一吸氫層在所述基板上的投影面積大于所述氧化物半導體有源層在所述基板上的投影面積，且第一吸氫層在所述基板上的投影面積與所述氧化物半導體有源層在所述基板上的投影面積之差小于或等于1um2。
10.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，
所述陣列基板還包括：位于所述第一含氫絕緣層背向所述基板一側且覆蓋所述第一吸氫層的第二絕緣層；所述氧化物半導體薄膜晶體管位于部分所述第二絕緣層背向所述基板的一側。
11.根據權利要求10所述的陣列基板，其特征在于，
所述第二絕緣層的材料為氧化硅。
12.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括：位于所述第一含氫絕緣層上且覆蓋所述氧化物半導體薄膜晶體管的介質層；
所述含氫層還包括薄膜封裝層，所述薄膜封裝層位于所述介質層背向所述基板的一側；
所述吸氫層還包括第二吸氫層，所述第二吸氫層位于所述薄膜封裝層和所述介質層之間，所述第二吸氫層呈絕緣性。
13.根據權利要求12所述的陣列基板，其特征在于，
所述第二吸氫層的厚度的取值范圍小于或等于500埃。
14.根據權利要求13所述的陣列基板，其特征在于，
所述第二吸氫層的厚度的取值范圍大于或等于100埃，且小于或等于500埃。
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