[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011184929.6
• 申請(qǐng)日: 2020-10-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112310196B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳發(fā)祥;白青;孫丹丹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/423;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/84;G09F9/33
• 代理公司: 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，陣列基板包括：含氫層；氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管；吸氫層，所述吸氫層位于所述含氫層和所述氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管之間，所述吸氫層的材料包括氧化物半導(dǎo)體材料。所述陣列基板能夠降低氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的閾值電壓的負(fù)向偏移程度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著信息社會(huì)的進(jìn)步，顯示裝置得到廣泛的應(yīng)用。顯示裝置包括液晶顯示器裝置、等離子體顯示面板裝置、有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置等。

其中，液晶顯示器裝置和有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括用于電學(xué)連接像素區(qū)域的薄膜晶體管。薄膜晶體管用于驅(qū)動(dòng)像素區(qū)域以顯示圖像。所述薄膜晶體管包括有源層、源極、漏極、柵介質(zhì)層和柵極，其中，所述有源層的材料包括非晶硅、多晶硅、氧化物半導(dǎo)體材料中的一種。當(dāng)有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體材料時(shí)的導(dǎo)電性優(yōu)于有源層的材料為非晶硅時(shí)的導(dǎo)電性。其次，有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體材料時(shí)的制造工藝也較為簡(jiǎn)單。

然而，對(duì)于顯示裝置中，有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體材料的薄膜晶體管，薄膜晶體管的閾值電壓容易發(fā)生嚴(yán)重的負(fù)向偏移。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中如何有效的降低氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的閾值電壓發(fā)生負(fù)向偏移的問(wèn)題。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括：含氫層；氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管；吸氫層，所述吸氫層位于所述含氫層和所述氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管之間，所述吸氫層的材料包括氧化物半導(dǎo)體材料。

可選的，所述吸氫層的材料為氧化銦鎵鋅。

可選的，還包括：基板；所述含氫層包括第一含氫絕緣層，第一含氫絕緣層位于所述基板上；所述氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管位于部分所述第一含氫絕緣層背向所述基板的一側(cè)；所述吸氫層包括第一吸氫層，所述第一吸氫層位于所述第一含氫絕緣層和所述氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管之間。

可選的，所述第一含氫絕緣層的材料為氮化硅。

可選的，所述第一吸氫層具有導(dǎo)電性，所述第一吸氫層的導(dǎo)電性適于在第一吸氫層經(jīng)過(guò)吸氫后提高；所述第一吸氫層位于部分的第一含氫絕緣層和所述氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管之間。

可選的，所述第一吸氫層中載子濃度大于或等于1E16/cm³。

可選的，所述第一吸氫層的厚度的取值范圍大于或等于500埃。

可選的，所述第一吸氫層的厚度的取值范圍大于或等于500埃，且小于或等于1500埃。

可選的，所述氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管包括氧化物半導(dǎo)體有源層、以及位于所述氧化物半導(dǎo)體有源層背向所述基底一側(cè)的第一柵極；所述第一吸氫層作為所述氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的第二柵極。

可選的，第一吸氫層在基板上的投影面積大于氧化物半導(dǎo)體有源層在基板上的投影面積，且第一吸氫層在基板上的投影面積與氧化物半導(dǎo)體有源層在基板上的投影面積之差小于或等于1um²。

可選的，陣列基板還包括：位于第一含氫絕緣層背向基板一側(cè)且覆蓋第一吸氫層的第二絕緣層；所述氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管位于部分所述第二絕緣層背向所述基板的一側(cè)。

可選的，所述第二絕緣層的材料為氧化硅。

可選的，所述第一吸氫層呈絕緣性。

可選的，所述第一吸氫層整面覆蓋所述第一含氫絕緣層。

可選的，所述第一吸氫層的厚度的取值范圍小于或等于500埃。

可選的，第一吸氫層的厚度大于或等于100埃，且小于或等于500埃。