[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202011184084.0
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112750781A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 馮世鑫
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李琛;黃艷

1.一種半導體裝置的制造方法，包括：

在一基底上方形成一多層堆疊物，該多層堆疊物包括一第一層、在該第一層上方的一第二層、在該第二層上方的一第三層和在該第三層上方的一第四層，該第一層和該第三層包括一第一半導體材料，且該第二層和該第四層包括一第二半導體材料；

在該多層堆疊物中蝕刻一第一開口，該第一開口暴露出該基底；

在該第一開口中形成一第一源極/漏極區；

在形成該第一源極/漏極區之后，從該多層堆疊物蝕刻出一鰭；

從該鰭移除該第一層和該第三層；以及

形成一柵極結構以圍繞該第二層和該第四層。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中形成該第一源極/漏極區的步驟還包括在該第一開口中沉積該第二半導體材料。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中在形成該柵極結構的步驟中，該柵極結構物理接觸該第一源極/漏極區。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中形成該第一源極/漏極區的步驟包括外延成長該第一源極/漏極區。

5.一種半導體裝置的制造方法，包括：

在一多層結構中形成一第一開口；

在該第一開口中形成一第一源極/漏極區；

在形成該第一源極/漏極區之后，蝕刻該多層結構以形成一鰭；

對該鰭進行一線釋放工藝，以形成復數個納米結構；以及

在進行該線釋放工藝之后，在該復數個納米結構的每一者周圍沉積一柵極結構。

6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中該線釋放工藝包括使用一選擇性蝕刻工藝以從該鰭移除一第一半導體材料，該第一半導體材料不同于該多層結構的每個剩下層的半導體材料。

7.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，還包括在蝕刻該多層結構之后，形成與該第一源極/漏極區相鄰的一隔離區。

8.一種半導體裝置，包括：

一第一源極/漏極區；

一第二源極/漏極區；

一納米結構的堆疊物，在該納米結構的堆疊物中的每個納米結構延伸于該第一源極/漏極區與該第二源極/漏極區之間；

一柵極介電層，圍繞該納米結構的堆疊物中的每個納米結構，其中該柵極介電層直接物理接觸該第一源極/漏極區和該第二源極/漏極區；以及

一柵極接點，圍繞該柵極介電層。

9.如權利要求8所述的半導體裝置，其中該第一源極/漏極區具有從該第一源極/漏極區的頂部至該第一源極/漏極區的底部的一筆直側壁。

10.如權利要求8所述的半導體裝置，其中該納米結構的堆疊物具有一第一寬度，且該第一源極/漏極區具有該第一寬度。