[發明專利]加熱腔結構和硅片處理設備

在審

• 申請號: 202011182874.5
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112251737A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 左國軍;梁建軍;候岳明
• 申請（專利權）人: 常州捷佳創精密機械有限公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46;C23C16/50;C23C16/44;C23C16/54;H01L21/67
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343
• 代理人: 尚志峰

本發明提供了一種加熱腔結構和硅片處理設備。其中，加熱腔結構包括：加熱腔體，用于提供真空環境，加熱腔體的側壁上設有通孔；隔離套管，由通孔伸入加熱腔體內，隔離套管的至少一端位于加熱腔體外；加熱器，加熱器的發熱部分設于隔離套管內，加熱器的引線端由隔離套管位于加熱腔體外的一端伸出；連接組件，用于固定隔離套管和加熱器；其中，隔離套管與連接組件使加熱腔體的內部與加熱器以及外部大氣隔離。本發明的技術方案，通過隔離套管與連接組件的配合實現了內部真空環境與外部大氣環境的隔離，使得加熱器的引線可在大氣環境中接線，有效緩解了放電現象，可提高使用電壓，有利于降低加熱器的接線負擔。

技術領域

本申請涉及硅片加熱設備技術領域，具體而言，涉及一種加熱腔結構和一種硅片處理設備。

背景技術

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強化學的氣相沉積法)是太陽能電池生產中常用的鍍膜方法之一，通常采用相應的PECVD設備對硅片進行鍍膜。現有的PECVD設備的加熱腔多采用紅外加熱器的方法，將紅外加熱器的引線設置于真空端，由于在真空環境中高電壓體對低電壓體放電現象尤為嚴重，為緩解以上問題，一般使用電壓不超過110V，導致在所需求的功率相同時，紅外加熱器在真空中接線所承受的電流遠大于在大氣中接線所承受的電流，導致接線負擔上升，需要較粗的線纜以及較大的空開設備，加熱腔整體結構過于復雜，成本也隨之上升。

發明內容

根據本發明的實施例，旨在至少改善現有技術或相關技術中存在的技術問題之一。

為此，根據本發明的實施例的一個目的在于提供一種加熱腔結構。

根據本發明的實施例的另一個目的在于提供一種硅片處理設備。

為了實現上述目的，根據本發明的第一方面的一個實施例提供了一種加熱腔結構，包括：加熱腔體，用于提供真空環境，加熱腔體的側壁上設有通孔；隔離套管，由通孔伸入加熱腔體內，隔離套管的至少一端位于加熱腔體外；加熱器，加熱器的發熱部分設于隔離套管內，加熱器的引線端由隔離套管位于加熱腔體外的一端伸出；連接組件，用于固定隔離套管和加熱器；其中，隔離套管與連接組件使加熱腔體的內部與加熱器以及外部大氣隔離。

根據本發明第一方面的實施例，加熱腔結構包括加熱腔體、隔離套管、加熱器和連接組件。加熱腔體作為加熱腔結構的主體，用于為硅片加熱操作提供真空環境；加熱腔體的側壁上設有通孔，用于設置隔離套管。隔離套管由側壁上的通孔伸入加熱腔體內，且隔離套管的至少一端位于加熱腔體外，以與外部大氣連通；加熱器的發熱部分伸入隔離套管內，加熱器的引線端由隔離套管位于加熱腔體外的一端伸出，以便于接線。通過設置連接組件，以對隔離套管和加熱器進行固定，并通過連接組件和隔離套管使加熱腔體的內部與外部大氣隔離，同時對加熱器形成隔離。在硅片隨硅片載板進入真空環境的加熱腔體時，加熱器通電發熱，以對硅片進行加熱。其中，在加熱器設于加熱腔體靠近底部的位置時，可形成下置加熱方式，且有利于合理利用空間。此外，加熱器可以是桿狀或管狀結構，以便于在隔離套管中裝配。

本方案中的加熱腔結構，通過設置隔離套管以及連接組件，可加熱器的引線端置于大氣環境中，并實現加熱腔體內部真空環境與外部大氣環境之間的隔離，有效緩解了高電壓體對低電壓體的放電現象，可提高使用電壓、降低線纜所承受的電流，以降低加熱器的接線負擔，有利于降低接線操作的難度和成本。

另外，根據本發明的實施例中提供的上述技術方案中的加熱腔結構還可以具有如下附加技術特征：

在上述技術方案中，連接組件包括：設于隔離套管上，法蘭盤的內側壁上設有密封結構，以對通孔進行密封；第一支架，設于隔離套管位于加熱腔體外的一端，第一支架分別與隔離套管和加熱器連接，以對隔離套管和加熱器進行定位，并使加熱器與隔離套管之間保持非接觸狀態。