[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011180032.6 | 申請日: | 2020-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN112310180B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金玉;陸蘊雷;李磊;黃佳兵;張鵬輝 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京遠智匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,劃分為顯示區(qū)和非顯示區(qū),所述非顯示區(qū)包括邦定區(qū),其特征在于,包括:
基板;
金屬走線,位于所述基板上,由所述顯示區(qū)延伸至所述非顯示區(qū);
平坦化層,位于所述金屬走線遠離所述基板的一側(cè);
金手指,與所述金屬走線邦定連接,所述金手指靠近所述顯示區(qū)的一端與所述平坦化層不接觸;
所述顯示面板,還包括絕緣層,像素定義層;
所述絕緣層位于所述非顯示區(qū),并覆蓋所述金屬走線在所述非顯示區(qū)的部分;所述絕緣層包括開口,所述開口暴露所述金屬走線;
所述像素定義層包括第一像素定義層和第二像素定義層;所述第一像素定義層位于所述平坦化層遠離所述基板的一側(cè);所述第二像素定義層為所述絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述平坦化層靠近所述邦定區(qū)的邊界與所述金手指靠近所述顯示區(qū)的邊界的最短距離大于50μm。
3.一種顯示面板的制備方法,所述顯示面板劃分為顯示區(qū)和非顯示區(qū),所述非顯示區(qū)包括邦定區(qū),其特征在于,所述顯示面板的制備方法包括:
提供基板;
在所述基板上形成金屬走線,所述金屬走線由所述顯示區(qū)延伸至所述非顯示區(qū);
在所述金屬走線遠離所述基板的一側(cè)形成平坦化層;
去除位于所述邦定區(qū)的平坦化層;
在去除所述平坦化層的所述邦定區(qū)形成金手指,且所述金手指與所述金屬走線電連接,所述金手指靠近所述顯示區(qū)的一端與所述平坦化層不接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,在去除所述平坦化層的所述邦定區(qū)形成金手指,且所述金手指與所述金屬走線連接包括:
在所述非顯示區(qū)的所述金屬走線遠離所述基板的一側(cè)形成絕緣層,所述絕緣層設(shè)有開口,所述開口暴露所述金屬走線,所述金屬走線與所述金手指連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,在去除位于所述邦定區(qū)的平坦化層之后,還包括:
在位于所述顯示區(qū)的所述平坦化層遠離所述基板的一側(cè)形成陽極層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,在去除位于所述邦定區(qū)的平坦化層之后,還包括:
在位于所述顯示區(qū)的所述平坦化層遠離所述基板的一側(cè)形成第一像素定義層以及在位于所述非顯示區(qū)的所述金屬走線遠離所述基板的一側(cè)形成第二像素定義層,所述第二像素定義層為所述絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的制備方法,位于所述顯示區(qū)的所述平坦化層與所述第二像素定義層同層設(shè)置。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-2任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





