[發明專利]一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法在審
| 申請號： | 202011179697.5 | 申請日： | 2020-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN112300424A | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發明（設計）人： | 王翔宇;宋厚春;歐雪光;陳洪 | 申請（專利權）人： | 銀金達（上海）新材料有限公司 |
| 主分類號： | C08J5/18 | 分類號： | C08J5/18;C08L23/08;C08L23/06;C08L67/00;C08L71/12;C08L81/06;C08K13/02;C08K3/04;C08K5/5419;C08K5/544;C08K5/5425;C09J7/40;B29C48/00;B29C48/08 |
| 代理公司： | 北京化育知識產權代理有限公司 11833 | 代理人： | 尹均利 |
| 地址： | 200000 上海市金山區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 ic 芯片 etfe 離型膜 制備 方法 | ||
1.一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)取質量比為100:4:3:5的ETFE樹脂、交聯劑、抗氧劑和增韌劑混合均勻加入三層共擠型擠出機的內層，取質量比為100:4:3:5的ETFE樹脂、交聯劑、抗氧劑和粘接劑混合均與加入三層共擠型擠出機的中層，取質量比為100:4:3:5:2的ETFE樹脂、交聯劑、抗氧劑、聚乙烯蠟微粒和抗靜電劑加入3層共擠型擠出機的外層，升溫使物料熔融擠出；
(2)將熔融擠出的物料經過機頭進行貼合后，采用三層共擠法通過T型模頭熔融擠出，所述熔融擠出溫度為240-280℃，擠出機螺桿尺寸為φ＝20-60mm，L/D＝20-50，螺桿轉速為20-300rpm；
(3)在經由T型模頭擠出之后進入冷卻輥筒進行冷卻后，得到ETFE離型膜。
2.根據權利要求1所述的一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，其特征在于：步驟(1)所述ETFE樹脂在三層共擠型擠出機的內層、中層和外層的加入量的質量比為1:1:1。
3.根據權利要求1所述的一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，其特征在于：步驟(3)所述冷卻輥筒采用雙層結構的多螺旋進水通道，外進內排。
4.根據權利要求1所述的一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，其特征在于：所述交聯劑為甲基甲氧基硅氧烷、N-2-(氨乙基)-3氨丙基甲基二甲氧基硅烷和乙烯基三乙氧基硅烷中的一種。
5.根據權利要求1所述的一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，其特征在于：所述抗氧劑為抗氧劑1076、抗氧劑CA、抗氧劑DLTP、抗氧劑TNP、抗氧劑TPP中的一種。
6.根據權利要求1所述的一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，其特征在于：所述增韌劑為端羧基超支化聚酯、熱塑性聚苯醚酮、熱塑性聚醚砜或乙烯－醋酸乙烯共聚物中的一種或一種以上。
7.根據權利要求1所述的一種用于IC芯片的ETFE離型膜的制備方法，其特征在于：所述抗靜電劑為乙炔炭黑，所述聚乙烯蠟微粒的粒徑為2-4μm。
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