[發明專利]一種流量傳感器芯片的制造方法

有效

• 申請號: 202011179416.6
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112501593B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 陳志寶
• 申請（專利權）人: 長芯科技（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;G03F7/20
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260
• 代理人: 張靜汝

本發明提供的一種流量傳感器芯片的制造方法，包括步驟：基底，采用光刻法對鋪設于基底表面的光刻膠進行顯影形成光刻區域，再利用深反應離子刻蝕法刻蝕光刻區域至基底內部，在基底表面形成有至少一個用于制作空腔的槽體；在基底表面和槽體內壁形成保護層；利用聚酰亞胺填充槽體，且所填充高度大于等于槽體的高度；采用干法回刻法去除保護層表面的聚酰亞胺，使聚酰亞胺的表面與保護層表面處于同一水平面；采用等離子體增強化學氣相淀積法對聚酰亞胺表面和保護層表面沉淀形成有隔離層；通過對聚酰亞胺加熱，使聚酰亞胺固化收縮與隔離層之間形成空腔。本發明具有良好的結構穩定性，適合大批量生產的效果。

技術領域

本發明涉及半導體技術的技術領域，尤其是涉及一種流量傳感器芯片的制造方法。

背景技術

目前流量傳感器已廣泛應用于汽車發動機、石油天然氣以及醫療設備中氣體流量的檢測中。現有的一些與溫度相關半導體傳感器的結構中，有時需要將傳感器處于一個懸空膜上，在封裝后，傳感器下方的基底不與封裝的基座接觸，而是懸空并與空氣或者真空接觸，達到降低外界環境溫度干擾的目的。

例如公開號為CN102491260A的一篇中國發明專利公開了一種采用腐蝕自停止方式制造流量傳感器的方法和公開號為CN102515087A的一篇中國發明專利公開了一種流量傳感器的制造方法，都是通過背面腐蝕工藝形成空腔，主要通過對時間的精確控制，與所采用腐蝕溶液的純度、濃度、溫度息息相關，無法精確的控制腐蝕面積和深度，腐蝕基底背面向內凹陷形成槽體，來實現將傳感器懸空設置，背面腐蝕會穿透整個基底，在一定程度上會降低傳感器整體結構的穩定性，對傳感器的壽命大大降低。

發明內容

針對現有技術存在的不足，本發明的目是提供一種流量傳感器芯片的制造方法，具有良好的結構穩定性，適合大批量生產。

本發明的上述發明目的是通過以下技術方案得以實現的：一種流量傳感器芯片的制造方法，包括步驟：

基底，采用光刻法對鋪設于所述基底表面的光刻膠進行顯影形成光刻區域，再利用深反應離子刻蝕法刻蝕所述光刻區域至所述基底內部，在所述基底表面形成有至少一個用于制作空腔的槽體；

在所述基底表面和所述槽體內壁形成保護層；

利用聚酰亞胺填充所述槽體，且所填充高度大于等于所述槽體的高度；

采用干法回刻法去除所述保護層表面的聚酰亞胺，使所述聚酰亞胺的表面與所述保護層表面處于同一水平面；

采用等離子體增強化學氣相淀積法對所述聚酰亞胺表面和所述保護層表面沉淀形成有隔離層；

通過對所述聚酰亞胺加熱，使所述聚酰亞胺固化收縮與所述隔離層之間形成空腔。