[發明專利]一種流量傳感器芯片的制造方法

有效

• 申請號: 202011179416.6
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112501593B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 陳志寶
• 申請（專利權）人: 長芯科技（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;G03F7/20
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260
• 代理人: 張靜汝

1.一種流量傳感器芯片的制造方法，其特征在于，包括步驟：

基底(1)，采用光刻法對鋪設于所述基底(1)表面的光刻膠進行顯影形成光刻區域，再利用深反應離子刻蝕法刻蝕所述光刻區域至所述基底(1)內部，在所述基底(1)表面形成有至少一個用于制作空腔(6)的槽體(2)；

在所述基底(1)表面和所述槽體(2)內壁形成保護層(3)，保護層(3)為二氧化硅保護層(3);

利用聚酰亞胺(4)填充所述槽體(2)，且所填充高度大于等于所述槽體(2)的高度；

采用干法回刻法去除所述保護層(3)表面的聚酰亞胺(4)，使所述聚酰亞胺(4)的表面與所述保護層(3)表面處于同一水平面；

采用等離子體增強化學氣相淀積法對所述聚酰亞胺(4)表面和所述保護層(3)表面沉淀形成隔離層(5)；

通過對所述聚酰亞胺(4)加熱，使所述聚酰亞胺(4)固化收縮與所述隔離層(5)之間形成空腔(6)；其中聚酰亞胺(4)的固化收縮溫度是350度、固化收縮時間是兩小時。

2.根據權利要求1所述的流量傳感器芯片的制造方法，其特征在于，所述光刻法采用光刻機進行光刻，所述光刻機的對準精確度的范圍為±0.3μm。

3.根據權利要求1所述的流量傳感器芯片的制造方法，其特征在于，所述槽體(2)的深度和形狀是可調的。

4.根據權利要求1所述的流量傳感器芯片的制造方法，其特征在于，形成所述保護層(3)的方法包括熱氧化法、烷氧基硫硅烷熱分解淀積法和低溫氧化法中任意一項。

5.根據權利要求1所述的流量傳感器芯片的制造方法，其特征在于，所述干法回刻法包括氧等離子體轟擊、氟基等離子體刻蝕法中任意一項。

6.根據權利要求1所述的流量傳感器芯片的制造方法，其特征在于，還包括：對所述隔離層(5)進行平坦化處理。

7.根據權利要求1所述的流量傳感器芯片的制造方法，其特征在于，還包括：在所述隔離層(5)上沉淀形成含金屬材料的電熱層(7)，所述電熱層(7)為單層的或多層的結構，所述金屬材料為溫阻材料。

8.根據權利要求7所述的流量傳感器芯片的制造方法，其特征在于，所述溫阻材料包括金、銀、鎳或鉑中任意一項。

9.根據權利要求 7或8所述的流量傳感器芯片的制造方法，其特征在于，還包括：對所述電熱層(7)作圖形化處理，使所述基底(1)表面形成含金屬材料的各類圖形，所述含金屬材料的各類圖形為單層結構或多層結構。

10.根據權利要求9所述的流量傳感器芯片的制造方法，其特征在于，對所述聚酰亞胺(4)加熱步驟具體為，對所述電熱層(7)作圖形化后進行合金化處理，所述合金化溫度大于所述聚酰亞胺(4)的固化收縮溫度。

11.根據權利要求10所述的流量傳感器芯片的制造方法，其特征在于，所述合金化溫度范圍為350～450℃。

12.根據權利要求1所述的流量傳感器芯片的制造方法，其特征在于，還包括：在所述基底(1)表面沉積形成防護層(8)，并通過光刻和刻蝕工藝形成工作區。

13.根據權利要求12所述的流量傳感器芯片的制造方法，其特征在于，所述防護層(8)為單層結構或多層結構。