[發明專利]半導體封裝結構制作方法和半導體封裝結構

在審

• 申請號: 202011178889.4
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112289689A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 何正鴻;鐘磊
• 申請（專利權）人: 甬矽電子（寧波）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/552;H01L23/31;H01L23/49
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 徐麗

本申請實施例提供了一種半導體封裝結構制作方法和半導體封裝結構，涉及半導體封裝技術領域。該方法包括：提供一基板，在基板的一側設置管腳連接點；對基板上導通管腳連接點所在的一側進行塑封，形成第一塑封體；在第一塑封體上導通管腳連接點對應的位置形成凹槽；在凹槽中設置導電柱，導電柱的一端與導通管腳連接點連接，另一端延伸出第一塑封體；將芯片設置在基板遠離導通管腳連接點的一側，并在芯片所在的一側對基板進行塑封，形成第二塑封體；在第一塑封體、第二塑封體的表面和基板的側面進行金屬濺射形成金屬屏蔽層，金屬屏蔽層與導電柱遠離導通管腳連接點的一端連接，通過上述設置，能夠獲取一種金屬屏蔽性能穩定的半導體封裝結構。

技術領域

本申請涉及半導體封裝技術領域，具體而言，涉及一種半導體封裝結構制作方法和半導體封裝結構。

背景技術

隨著半導體行業的快速發展，SIP(System in Package，系統級封裝)模組結構已經廣泛應用于半導體領域，其將不同的功能芯片進行封裝后，實現多個芯片對應的功能。而在封裝結構應用于通信領域的高頻信號環境時，為了保證各芯片功能的正常的使用，需要構建電磁屏蔽結構。在現有技術中，通常將接地線布置在基板切割道的邊緣，以便在進行切割得到單顆產品后進行金屬濺射相關操作，使得濺射形成的金屬屏蔽層與切割露出的接地線連通，實現金屬屏蔽的效果。而由于在進行切割的過程中，會出現切割偏移等問題，這造成了金屬屏蔽性能的下降。

有鑒于此，如何提供一種金屬屏蔽性能較強的半導體封裝結構，是本領域技術人員需要解決的。

發明內容

本申請提供了一種半導體封裝結構制作方法和半導體封裝結構。

本申請的實施例可以這樣實現：

第一方面，本申請實施例提供一種半導體封裝結構制作方法，包括：

提供一基板，在所述基板的一側設置管腳連接點，所述管腳連接點包括導通管腳連接點；

對所述基板上所述導通管腳連接點所在的一側進行塑封，形成第一塑封體，所述第一塑封體用于形成容置所述導通管腳連接點的空間；

在所述第一塑封體上所述導通管腳連接點對應的位置進行激光開槽形成凹槽，使所述導通管腳連接點露出；

在所述凹槽中設置導電柱，所述導電柱的一端與所述導通管腳連接點連接，另一端延伸出所述第一塑封體；

將芯片設置在所述基板遠離所述導通管腳連接點的一側，并在所述芯片所在的一側對所述基板進行塑封，形成第二塑封體，所述第二塑封體用于形成容置所述芯片的空間；

在所述第一塑封體、所述第二塑封體的表面和所述基板的側面進行金屬濺射，使所述第一塑封體、所述第二塑封體的表面和所述基板的側面形成金屬屏蔽層，所述金屬屏蔽層與所述導電柱遠離所述導通管腳連接點的一端連接。

在可選的實施方式中，所述管腳連接點還包括植球管腳連接點；

在所述對所述基板上所述導通管腳連接點所在的一側進行塑封的步驟之前，所述方法還包括：

將錫球放置在所述植球管腳連接點，所述錫球與所述植球管腳連接點連接，所述第一塑封體還用于形成容置所述錫球的空間。

在可選的實施方式中，在所述第一塑封體、所述第二塑封體的表面和所述基板的側面進行金屬濺射的步驟之前，所述方法還包括：

在所述第一塑封體上所述植球管腳連接點對應的位置進行激光開槽，使所述錫球露出；

對露出的所述錫球進行激光植球，使所述錫球的一端與所述植球管腳連接點連接，另一端延伸出所述第一塑封體；

在所述錫球上覆蓋保護膜。