[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制作方法和半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

在審

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• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112289689A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何正鴻;鐘磊
• 申請（專利權(quán)）人: 甬矽電子（寧波）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/552;H01L23/31;H01L23/49
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 徐麗

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，在所述基板的一側(cè)設(shè)置管腳連接點(diǎn)，所述管腳連接點(diǎn)包括導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)；

對所述基板上所述導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)所在的一側(cè)進(jìn)行塑封，形成第一塑封體，所述第一塑封體用于形成容置所述導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)的空間；

在所述第一塑封體上所述導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)對應(yīng)的位置進(jìn)行激光開槽形成凹槽，使所述導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)露出；

在所述凹槽中設(shè)置導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱的一端與所述導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)連接，另一端延伸出所述第一塑封體；

將芯片設(shè)置在所述基板遠(yuǎn)離所述導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)的一側(cè)，并在所述芯片所在的一側(cè)對所述基板進(jìn)行塑封，形成第二塑封體，所述第二塑封體用于形成容置所述芯片的空間；

在所述第一塑封體、所述第二塑封體的表面和所述基板的側(cè)面進(jìn)行金屬濺射，使所述第一塑封體、所述第二塑封體的表面和所述基板的側(cè)面形成金屬屏蔽層，所述金屬屏蔽層與所述導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)的一端連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述管腳連接點(diǎn)還包括植球管腳連接點(diǎn)；

在所述對所述基板上所述導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)所在的一側(cè)進(jìn)行塑封的步驟之前，所述方法還包括：

將錫球放置在所述植球管腳連接點(diǎn)，所述錫球與所述植球管腳連接點(diǎn)連接，所述第一塑封體還用于形成容置所述錫球的空間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一塑封體、所述第二塑封體的表面和所述基板的側(cè)面進(jìn)行金屬濺射的步驟之前，所述方法還包括：

在所述第一塑封體上所述植球管腳連接點(diǎn)對應(yīng)的位置進(jìn)行激光開槽，使所述錫球露出；

對露出的所述錫球進(jìn)行激光植球，使所述錫球的一端與所述植球管腳連接點(diǎn)連接，另一端延伸出所述第一塑封體；

在所述錫球上覆蓋保護(hù)膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一塑封體、所述第二塑封體的表面和所述基板的側(cè)面進(jìn)行金屬濺射的步驟之后，所述方法還包括：

將所述金屬屏蔽層上所述錫球?qū)?yīng)的部分除去；

在所述第一塑封體上所述植球管腳連接點(diǎn)對應(yīng)的位置進(jìn)行激光開槽，使所述錫球露出；

對露出的所述錫球進(jìn)行激光植球，使所述錫球的一端與所述植球管腳連接點(diǎn)連接，另一端延伸出所述第一塑封體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述凹槽中設(shè)置導(dǎo)電柱的步驟，包括：

將導(dǎo)電膠填充至所述凹槽中并進(jìn)行烘烤，使所述導(dǎo)電柱的一端與所述導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)接觸，另一端延伸出所述第一塑封體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述凹槽為T型槽；

在所述將導(dǎo)電膠填充至所述凹槽中并進(jìn)行烘烤的步驟之后，所述在所述凹槽中設(shè)置導(dǎo)電柱的步驟，還包括：

對所述第一塑封體進(jìn)行研磨，使所述導(dǎo)電柱延伸出所述T型槽。

7.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基板、管腳連接點(diǎn)、第一塑封體、第二塑封體、凹槽、導(dǎo)電柱、芯片和金屬屏蔽層，所述管腳連接點(diǎn)包括導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)；

所述管腳連接點(diǎn)和所述第一塑封體設(shè)置在所述基板的同一側(cè)，所述第一塑封體用于形成容置所述管腳連接點(diǎn)的空間；

所述凹槽設(shè)置在所述第一塑封體上所述導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)對應(yīng)的位置；

所述導(dǎo)電柱設(shè)置在所述凹槽內(nèi)，所述導(dǎo)電柱的一端與所述導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)連接，另一端延伸出所述第一塑封體；

所述芯片和所述第二塑封體設(shè)置在所述基板遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電柱的一側(cè)，所述第二塑封體用于形成容置所述芯片的空間；

所述金屬屏蔽層設(shè)置在所述第一塑封體、第二塑封體的表面和基板的側(cè)面，所述金屬屏蔽層與所述導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述導(dǎo)通管腳連接點(diǎn)的一端連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)還包括錫球，所述管腳連接點(diǎn)還包括植球管腳連接點(diǎn)；

所述錫球的一端設(shè)置在所述植球管腳連接點(diǎn)上，另一端延伸出所述第一塑封體。