[發明專利]顯示基板及其制備方法

在審

• 申請號: 202011177347.5
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112331706A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 劉如勝;申麗萍;邢汝博;李驕陽
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 南京科知維創知識產權代理有限責任公司 32270
• 代理人: 梁珺

本發明提供一種顯示基板及其制備方法，包括襯底，所述襯底包括呈陣列排布的多個像素結構，每一像素結構包括：有機薄膜晶體管，所述有機薄膜晶體管設置在所述襯底的第一區域；像素電極，所述像素電極設置在所述襯底的第二區域；其中，所述第一區域和所述第二區域沿平行所述襯底的方向并列設置在所述襯底的一側。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別關于一種顯示基板及其制備方法。

背景技術

近年，隨著有機半導體材料的發現和發展，已經制備出了利用有機材料代替無機材料作為載流子傳輸的有機薄膜晶體管器件，并且有機薄膜晶體器件的性能正逐步提升。

有機薄膜晶體管(Organic Thin FilmTransistor，OTFT)的基本結構和功能與傳統的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)基本相同，不同的是有機薄膜晶體管采用了有機半導體作為工作物質。傳統的薄膜晶體管，是利用低溫多晶硅（P-Si）或者金屬氧化物（IGZO）做溝道，形成場效應管。而有機薄膜晶體管則采用有機半導體材料取代低溫多晶硅導體材料做溝道，形成場效應管。與現有的非晶硅或多晶硅TFT相比，OTFT具有以下特點：加工溫度低，一般在180℃以下，能夠適用于柔性顯示基板制備；工藝過程大大簡化，成本大幅度降低；材料來源廣泛，發展潛力大。OTFT有可能在許多電子產品上得到應用，如有源矩陣顯示器等。

然而，如果直接采用傳統的薄膜晶體管的圖案設計和制備工藝形成有機薄膜晶體管容易導致有機半導體晶體管損傷。有鑒于此，需要提出一種新的顯示基板，以克服現有的制備工藝不合理、制備步驟等限制有機薄膜晶體管性能的問題。

發明內容

本發明提供了一種顯示基板及其制作方法，克服現有的基于有機薄膜晶體管的顯示基板中，因制備步驟順序不合理和制備步驟復雜的導致的有機薄膜晶體管性能不佳的問題。

本發明一實施例中提供一種顯示基板，包括基板，所述襯底設置有陣列排布的多個像素結構，每一像素結構包括：有機薄膜晶體管，所述有機薄膜晶體管設置在所述襯底的第一區域；像素電極，所述像素電極設置在所述襯底的第二區域；其中，所述第一區域和所述第二區域沿平行所述襯底的方向并列設置在所述襯底的一側。

作為可選的技術方案，所述有機薄膜晶體管還包括自下而上層疊設置的柵極、柵極絕緣層、相互隔開的源極和漏極以及有機半導體層。

作為可選的技術方案，每一像素結構還包括像素定義層，所述像素定義層設置于所述柵極絕緣層遠離所述襯底的一側表面上，所述像素定義層包括溝道開孔區和像素開孔區，部分所述源極和部分所述漏極分別自所述溝道開孔區中暴露出，所述像素電極自所述像素開孔區中暴露出。

作為可選的技術方案，所述有機半導體層形成于所述溝道開孔區中，接觸暴露出的部分所述源極和暴露出的部分所述漏極，且覆蓋于部分所述源極、部分所述柵極絕緣層和部分所述漏極各自遠離所述襯底一側。

作為可選的技術方案，還包括電源線和數據線，所述電源線和所述數據線分別與所述像素電極同層設置。

作為可選的技術方案，每一像素結構還包括儲存電容，所述儲存電容包括電容上電極；所述電容上電極和所述像素電極分別設置于所述柵極絕緣層遠離所述襯底的一側。

作為可選的技術方案，所述儲存電容還包括電容下電極，所述電容下電極與所述柵極圖案層同層設置。

本發明還一實施例中還提供一種顯示基板的制備方法，所述顯示基板的制備方法包括：

S201、提供襯底；

S202、形成有機薄膜晶體管在所述襯底的第一區域；以及

S203、形成像素電極在所述襯底的第二區域；

其中，所述第一區域和所述第二區域沿平行所述襯底的方向并列設置在所述襯底的一側。