[發(fā)明專利]顯示基板及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011177347.5
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112331706A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉如勝;申麗萍;邢汝博;李驕陽
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 南京科知維創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 32270
• 代理人: 梁珺

1.一種顯示基板，包括襯底，所述襯底上設(shè)置有陣列排布的多個像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一像素結(jié)構(gòu)包括：

有機(jī)薄膜晶體管，所述有機(jī)薄膜晶體管設(shè)置在所述襯底的第一區(qū)域；

像素電極，所述像素電極設(shè)置在所述襯底的第二區(qū)域；

其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域沿平行所述襯底的方向并列設(shè)置在所述襯底的一側(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述有機(jī)薄膜晶體管還包括自下而上層疊設(shè)置的柵極、柵極絕緣層、相互隔開的源極和漏極以及有機(jī)半導(dǎo)體層。

3.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，每一像素結(jié)構(gòu)還包括像素定義層，所述像素定義層設(shè)置于所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)表面上，所述像素定義層包括溝道開孔區(qū)和像素開孔區(qū)，部分所述源極和部分所述漏極分別自所述溝道開孔區(qū)中暴露出，所述像素電極自所述像素開孔區(qū)中暴露出。

4.如權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述有機(jī)半導(dǎo)體層形成于所述溝道開孔區(qū)中，接觸暴露出的部分所述源極和暴露出的部分所述漏極，且覆蓋于部分所述源極、部分所述柵極絕緣層和部分所述漏極各自遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)。

5.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，還包括電源線和數(shù)據(jù)線，所述電源線和所述數(shù)據(jù)線分別與所述像素電極同層設(shè)置。

6.如權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，每一像素結(jié)構(gòu)還包括儲存電容，所述儲存電容包括電容上電極；所述電容上電極和所述像素電極分別設(shè)置于所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)。

7.如權(quán)利要求6所述的顯示基板，其特征在于，所述儲存電容還包括電容下電極，所述電容下電極與所述柵極圖案層同層設(shè)置。

8.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，所述顯示基板的制備方法包括：

S201、提供襯底；

S202、形成有機(jī)薄膜晶體管在所述襯底的第一區(qū)域；以及

S203、形成像素電極在所述襯底的第二區(qū)域；

其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域沿平行所述襯底的方向并列設(shè)置在所述襯底的一側(cè)。

9.如權(quán)利要求8中所述顯示基板的制備方法，其特征在于，

S202、所述形成有機(jī)薄膜晶體管在所述襯底的第一區(qū)域，還包括：

形成柵極于所述襯底的一側(cè)；

形成柵極絕緣層于所述柵極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)表面上；

形成源極和漏極于所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)表面上；

S203、所述形成像素電極于所述襯底的第二區(qū)域，還包括：

形成像素電極于所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)表面上。

10.如權(quán)利要求9中所述顯示基板的制備方法，其特征在于，還包括

S204、形成像素定義層于所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)表面上；

S205、形成多個溝道開孔區(qū)和多個像素開孔區(qū)于所述像素定義層中，部分所述源極和部分所述漏極從對應(yīng)的溝道開孔區(qū)中暴露出；

S206、形成有機(jī)半導(dǎo)體層至對應(yīng)的所述溝道開孔區(qū)中，所述有機(jī)半導(dǎo)體層接觸部分所述源極和部分所述漏極，且覆蓋于部分所述源極、所述柵極絕緣層和部分所述漏極各自遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)。