[發明專利]半導體器件和方法

在審

• 申請號: 202011177126.8
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112750826A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 劉威民;舒麗麗;楊育佳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 朱亦林

1.一種半導體器件，包括：

從襯底延伸的第一鰭和第二鰭，所述第一鰭包括第一凹槽，并且所述第二鰭包括第二凹槽；

隔離區域，圍繞所述第一鰭并圍繞所述第二鰭；

柵極堆疊，位于所述第一鰭和所述第二鰭之上；以及

源極/漏極區域，位于所述第一凹槽和所述第二凹槽中，所述源極/漏極區域鄰近所述柵極堆疊，其中，所述源極/漏極區域包括從所述第一鰭延伸到所述第二鰭的底表面，其中，所述底表面的位于所述隔離區域上方的第一高度以下的第一部分具有第一斜率，并且其中，所述底表面的位于所述第一高度以上的第二部分具有第二斜率，所述第二斜率大于所述第一斜率。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述底表面的第一部分具有{111}晶面。

3.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第二斜率在54.7°和90°之間。

4.根據權利要求1所述的器件，其中，從所述源極/漏極區域的頂表面到所述底表面的第一豎直距離小于從所述源極/漏極區域的頂表面到所述第一凹槽的底部的第二豎直距離的一半。

5.根據權利要求1所述的器件，其中，所述源極/漏極區域的在所述第一鰭和所述第二鰭之上延伸的頂表面是平坦的。

6.根據權利要求1所述的器件，其中，所述底表面的第二部分包括至少兩個不同晶面的多個小平面。

7.根據權利要求1所述的器件，其中，所述源極/漏極區域還包括相對側壁，其中，在所述第一高度以下，所述側壁是{111}晶面的小平面。

8.根據權利要求7所述的器件，其中，從所述隔離區域上方的第二高度延伸到所述源極/漏極區域的頂表面的所述源極/漏極區域的上側壁是{111}晶面的小平面，其中，所述第二高度高于所述第一高度。

9.一種半導體結構，包括：

第一鰭，位于半導體襯底之上；

第二鰭，位于所述半導體襯底之上，所述第二鰭與所述第一鰭相鄰；

隔離區域，圍繞所述第一鰭和所述第二鰭；

柵極結構，沿著所述第一鰭和所述第二鰭的側壁并且位于所述第一鰭和所述第二鰭的上表面之上；以及

源極/漏極區域，位于所述第一鰭和所述第二鰭上，鄰近所述柵極結構，所述源極/漏極區域包括位于所述第一鰭和所述第二鰭之間的底表面，其中，所述底表面包括下表面和上表面，其中，所述下表面是第一晶面的小平面，所述第一晶面的小平面從所述底表面的底部延伸到處于所述隔離區域上方的第一高度的第二晶面的小平面，其中，所述上表面從所述第一高度延伸到所述底表面的最上部，其中，所述上表面包括所述第一晶面的小平面和所述第二晶面的小平面。

10.一種用于形成半導體結構的方法，包括：

形成從半導體襯底突出的多個鰭；

形成圍繞所述多個鰭的隔離區域；

在所述多個鰭之上形成柵極結構；以及

形成與所述柵極結構相鄰并在所述多個鰭之上延伸的外延源極/漏極區域，包括：

執行第一沉積工藝以在所述多個鰭上沉積第一外延材料，其中，所述第一外延材料的在相鄰鰭上的底表面在所述隔離區域上方的第一高度處融合；

對所述第一外延材料執行蝕刻工藝，其中，所述蝕刻工藝蝕刻所述第一外延材料的底表面；以及

在執行所述蝕刻工藝之后，執行第二沉積工藝以在所述第一外延材料上沉積第二外延材料，所述外延源極/漏極區域包括所述第一外延材料和所述第二外延材料，其中，在執行所述第二沉積工藝之后，所述外延源極/漏極區域的在相鄰鰭之間的底表面在所述隔離區域上方延伸第二高度，所述第二高度大于所述第一高度。