[發明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202011176266.3 | 申請日: | 2020-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN112289811B | 公開(公告)日: | 2022-06-24 |
| 發明(設計)人: | 樊宜冰;屈財玉;趙夢;李良堅;劉政 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
一種顯示基板及其制備方法,所述顯示基板包括:基底、設置在所述基底上的有源層、第一柵金屬層、第二柵金屬層、絕緣層,所述第一柵金屬層和所述第二柵金屬層至少之一包括如下結構:從靠近所述基底一側至遠離所述基底一側,包括依次設置的柵金屬主體層和柵金屬覆蓋層,在平行于所述基底的平面上,所述柵金屬覆蓋層包括第一區域和第二區域,所述柵金屬覆蓋層被過孔暴露的區域的正投影位于所述第一區域的正投影內,且,在垂直于所述基底的方向上,所述第一區域的所述柵金屬覆蓋層的厚度大于所述第二區域內的所述柵金屬覆蓋層的厚度。本實施例提供的方案,可以保護柵金屬主體層,還可以具備良好的彎折、卷曲、可拉伸等機械性能。
技術領域
本申請實施例涉及但不限于顯示技術,尤指一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示裝置的尺寸越來越大,但大尺寸有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)產品中,存在屏幕邊緣和中心區域亮度不均勻、畫面顯示均勻性較差的問題。
發明內容
以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。
本申請實施例提供了一種顯示基板,包括:基底、設置在所述基底上的有源層,設置在所述有源層遠離所述基底一側的第一柵金屬層和第二柵金屬層,設置在所述第二柵金屬層遠離所述基底一側的絕緣層,所述絕緣層包括第一過孔和第二過孔,所述第一過孔暴露所述第一柵金屬層,所述第二過孔暴露所述第二柵金屬層,所述第一柵金屬層和所述第二柵金屬層至少之一包括如下結構:從靠近所述基底一側至遠離所述基底一側,包括依次設置的柵金屬主體層和柵金屬覆蓋層,所述柵金屬覆蓋層被所述第一過孔或所述第二過孔暴露;在平行于所述基底的平面上,所述柵金屬覆蓋層包括第一區域和第二區域,所述第一區域和所述第二區域的正投影無交疊,所述柵金屬覆蓋層被所述第一過孔或第二過孔暴露的區域的正投影位于所述第一區域的正投影內,且,在垂直于所述基底的方向上,所述第一區域的所述柵金屬覆蓋層的厚度大于所述第二區域內的所述柵金屬覆蓋層的厚度。
在一示例性實施例中,在平行于所述基底的平面上,所述柵金屬主體層的正投影位于所述柵金屬覆蓋層的正投影內。
在一示例性實施例中,所述柵金屬覆蓋層的硬度大于所述柵金屬主體層的硬度。
在一示例性實施例中,所述柵金屬主體層的材料包括以下至少之一:鋁、鋁合金。
在一示例性實施例中,所述柵金屬覆蓋層的材料包括氮化鈦、鈦。
在一示例性實施例中,在垂直于所述基底的方向上,所述第一區域的柵金屬覆蓋層的厚度為1200埃至1500埃。
在一示例性實施例中,在垂直于所述基底的方向上,所述第二區域的柵金屬覆蓋層厚度為300埃至500埃。
在一示例性實施例中,在垂直于所述基底的方向上,所述柵金屬主體層的厚度為為1000埃至3000埃。
本申請實施例提供一種顯示裝置,包括任一實施例所述的顯示基板。
本申請實施例提供一種顯示基板的制備方法,包括:
在基底上形成有源層;
在所述有源層遠離所述基底一側依次形成第一柵金屬層和第二柵金屬層;所述第一柵金屬層和所述第二柵金屬層至少之一包括如下結構:從靠近所述基底一側至遠離所述基底一側,包括依次設置的柵金屬主體層和柵金屬覆蓋層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





