[發(fā)明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011176266.3 | 申請日: | 2020-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN112289811B | 公開(公告)日: | 2022-06-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樊宜冰;屈財(cái)玉;趙夢;李良堅(jiān);劉政 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,包括:基底、設(shè)置在所述基底上的有源層,設(shè)置在所述有源層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的第一柵金屬層和第二柵金屬層,設(shè)置在所述第二柵金屬層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的絕緣層,所述絕緣層包括第一過孔和第二過孔,所述第一過孔暴露所述第一柵金屬層,所述第二過孔暴露所述第二柵金屬層,所述第一柵金屬層和所述第二柵金屬層至少之一包括如下結(jié)構(gòu):從靠近所述基底一側(cè)至遠(yuǎn)離所述基底一側(cè),包括依次設(shè)置的柵金屬主體層和柵金屬覆蓋層,所述柵金屬覆蓋層被所述第一過孔或所述第二過孔暴露;在平行于所述基底的平面上,所述柵金屬覆蓋層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的正投影無交疊,所述柵金屬覆蓋層被所述第一過孔或第二過孔暴露的區(qū)域的正投影位于所述第一區(qū)域的正投影內(nèi),且,在垂直于所述基底的方向上,所述第一區(qū)域的所述柵金屬覆蓋層的厚度大于所述第二區(qū)域內(nèi)的所述柵金屬覆蓋層的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,在平行于所述基底的平面上,所述柵金屬主體層的正投影位于所述柵金屬覆蓋層的正投影內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述柵金屬覆蓋層的硬度大于所述柵金屬主體層的硬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述柵金屬主體層的材料包括以下至少之一:鋁、鋁合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述柵金屬覆蓋層的材料包括以下至少之一:氮化鈦、鈦。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的顯示基板,其特征在于,在垂直于所述基底的方向上,所述第一區(qū)域的柵金屬覆蓋層的厚度為1200埃至1500埃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的顯示基板,其特征在于,在垂直于所述基底的方向上,所述第二區(qū)域的柵金屬覆蓋層厚度為300埃至500埃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的顯示基板,其特征在于,在垂直于所述基底的方向上,所述柵金屬主體層的厚度為1000埃至3000埃。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至8任一所述的顯示基板。
10.一種顯示基板的制備方法,包括:
在基底上形成有源層;
在所述有源層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)依次形成第一柵金屬層和第二柵金屬層;所述第一柵金屬層和所述第二柵金屬層至少之一包括如下結(jié)構(gòu):從靠近所述基底一側(cè)至遠(yuǎn)離所述基底一側(cè),包括依次設(shè)置的柵金屬主體層和柵金屬覆蓋層;
在第二柵金屬覆蓋層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)形成絕緣層;所述絕緣層包括第一過孔和第二過孔,所述第一過孔暴露所述第一柵金屬層,所述第二過孔暴露所述第二柵金屬層;其中,所述柵金屬覆蓋層被所述第一過孔或所述第二過孔暴露;在平行于所述基底的平面上,所述金屬覆蓋層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的正投影無交疊,所述柵金屬覆蓋層被所述第一過孔或第二過孔暴露的區(qū)域的正投影位于所述第一區(qū)域的正投影內(nèi),且,在垂直于所述基底的方向上,所述第一區(qū)域的所述柵金屬覆蓋層的厚度大于所述第二區(qū)域內(nèi)的所述柵金屬覆蓋層的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,
所述在所述有源層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)依次形成第一柵金屬層包括:
在所述有源層遠(yuǎn)離基底一側(cè)依次沉積第一柵金屬主體層薄膜和第一柵金屬覆蓋層薄膜,構(gòu)圖形成第一柵金屬主體層圖案和第一柵金屬覆蓋層初始層圖案;
對所述第一柵金屬覆蓋層初始層圖案進(jìn)行構(gòu)圖,形成第一柵金屬覆蓋層圖案;
所述在所述有源層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)依次形成第二柵金屬層包括:
在所述第一柵金屬覆蓋層遠(yuǎn)離基底一側(cè)依次沉積第二柵金屬主體層薄膜和第二柵金屬覆蓋層薄膜,構(gòu)圖形成第二柵金屬主體層圖案和第二柵金屬覆蓋層初始層圖案;
對所述第二柵金屬覆蓋層初始層圖案進(jìn)行構(gòu)圖,形成第二柵金屬覆蓋層圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,
所述在所述有源層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)依次形成第一柵金屬層包括:
在所述有源層遠(yuǎn)離基底一側(cè)依次沉積第一柵金屬主體層薄膜和第一柵金屬覆蓋層薄膜,構(gòu)圖形成第一柵金屬主體層圖案和第一柵金屬覆蓋第一子層圖案;
通過剝離工藝在所述第一柵金屬覆蓋第一子層上形成第一柵金屬覆蓋第二子層圖案,所述第一柵金屬覆蓋第一子層和所述第一柵金屬覆蓋第二子層即構(gòu)成所述第一柵金屬覆蓋層;
所述在所述有源層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)依次形成第二柵金屬層包括:
在所述有源層遠(yuǎn)離基底一側(cè)依次沉積第二柵金屬主體層薄膜和第二柵金屬覆蓋層薄膜,構(gòu)圖形成第二柵金屬主體層圖案和第二柵金屬覆蓋第一子層圖案;
通過剝離工藝在所述第二柵金屬覆蓋第一子層上形成第二柵金屬覆蓋第二子層圖案,所述第二柵金屬覆蓋第一子層和所述第二柵金屬覆蓋第二子層即構(gòu)成所述第二柵金屬覆蓋層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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