[發(fā)明專利]一種晶圓測(cè)試分類方法及系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011175918.1
• 申請(qǐng)日: 2020-10-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112382582B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 滕為榮;江華;陸毅;張珩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海光信息技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 北京市廣友專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 11237
• 代理人: 張仲波

本發(fā)明的實(shí)施例公開(kāi)一種晶圓測(cè)試分類方法及系統(tǒng)，屬于芯片技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明的方法在封裝步驟之前，包括：獲取對(duì)目標(biāo)晶圓的線上多重晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)；所述測(cè)試數(shù)據(jù)包括目標(biāo)晶圓在不同溫度和電壓測(cè)試條件下的指定參數(shù)測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)；根據(jù)獲取的指定參數(shù)測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)，通過(guò)預(yù)設(shè)芯片分類模型對(duì)所述目標(biāo)晶圓的各芯片進(jìn)行性能功耗分類；根據(jù)預(yù)先設(shè)置的性能功耗分類和產(chǎn)品規(guī)格的對(duì)應(yīng)關(guān)系，生成包括各芯片對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品規(guī)格信息的封裝用圖。本發(fā)明能夠根據(jù)晶圓測(cè)試參數(shù)進(jìn)行線下分析芯片性能和分類，以達(dá)提升最終器件性能水平、滿足不同性能功耗的產(chǎn)品規(guī)格的需求和提升實(shí)際產(chǎn)品生產(chǎn)率的目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓測(cè)試分類方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)

在晶圓制造完成之后，需要進(jìn)行晶圓測(cè)試，即在晶圓送到封裝工廠之前，需要通過(guò)晶圓測(cè)試鑒別出其中合格的芯片，晶圓測(cè)試是主要的芯片良品率統(tǒng)計(jì)方法之一。目前業(yè)內(nèi)通行的技術(shù)方案是：晶圓測(cè)試分類及數(shù)據(jù)處理主要由測(cè)試程序在芯片測(cè)試過(guò)程中完成，隨后的封裝直接按照晶圓測(cè)試分類結(jié)果切割封裝。

可見(jiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中芯片的分類和封裝直接取決于晶圓測(cè)試程式的內(nèi)容和測(cè)試結(jié)果。但是，現(xiàn)有技術(shù)方案的測(cè)試流程復(fù)雜且成本很高，對(duì)于產(chǎn)品性能要求高、封裝工藝復(fù)雜的復(fù)雜芯片產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，現(xiàn)有的晶圓測(cè)試分類方法已不能滿足這些需求。以高性能處理器產(chǎn)品為例，高性能處理器不僅有復(fù)雜的產(chǎn)品工藝和多重晶圓測(cè)試條件，同時(shí)需求不同種類的多芯片封裝既要滿足高性能要求又要滿足細(xì)分的產(chǎn)品規(guī)格，現(xiàn)有技術(shù)方案無(wú)法直接滿足這些要求。另外，對(duì)于多芯片封裝的高性能處理器芯片來(lái)說(shuō)，由于水桶效應(yīng)，其中性能最低的芯片將決定整個(gè)器件最終性能指標(biāo)，如果將合格但是性能不同的芯片隨機(jī)封裝在一起，最終生產(chǎn)出的高性能器件的晶圓級(jí)ATE測(cè)試(Chip?Probing，CP)和封裝器件的最終ATE測(cè)試(Final?Test，F(xiàn)T)良率不可控且不能滿足市場(chǎng)需求也不能滿足量產(chǎn)要求，同時(shí)測(cè)試過(guò)程中的線上數(shù)據(jù)處理增加了CP測(cè)試成本。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種晶圓測(cè)試分類方法及系統(tǒng)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)不能有效處理性能要求高、生產(chǎn)測(cè)試工藝要求復(fù)雜的芯片產(chǎn)品的分類，可能造成生產(chǎn)測(cè)試成本居高不下、高性能產(chǎn)品規(guī)格量產(chǎn)FT良率不可控的問(wèn)題。本發(fā)明能夠根據(jù)晶圓測(cè)試參數(shù)進(jìn)行線下分析芯片性能和分類，以達(dá)提升最終器件性能水平、滿足不同性能功耗的產(chǎn)品規(guī)格的需求和提升實(shí)際產(chǎn)品生產(chǎn)率的目的。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明提供一種晶圓測(cè)試分類方法，該方法在封裝步驟之前，包括：

獲取對(duì)目標(biāo)晶圓的線上多重晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)；所述測(cè)試數(shù)據(jù)包括目標(biāo)晶圓在不同溫度和電壓測(cè)試條件下的指定參數(shù)測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)；

根據(jù)獲取的指定參數(shù)測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)，通過(guò)預(yù)設(shè)芯片分類模型對(duì)所述目標(biāo)晶圓的各芯片進(jìn)行性能功耗分類；

根據(jù)預(yù)先設(shè)置的性能功耗分類和產(chǎn)品規(guī)格的對(duì)應(yīng)關(guān)系，生成包括各芯片對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品規(guī)格信息的封裝用圖。

結(jié)合第一方面，在第一方面的第一種實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)芯片分類模型包括至少兩個(gè)；

在所述根據(jù)獲取的指定參數(shù)測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)，通過(guò)預(yù)設(shè)芯片分類模型對(duì)所述目標(biāo)晶圓的各芯片進(jìn)行性能功耗分類之前，還包括：

接收對(duì)預(yù)設(shè)芯片分類模型的選擇；

所述通過(guò)預(yù)設(shè)芯片分類模型對(duì)所述目標(biāo)晶圓的各芯片進(jìn)行性能功耗分類，包括：

通過(guò)當(dāng)前被選擇的芯片分類模型對(duì)所述目標(biāo)晶圓的各芯片進(jìn)行性能功耗分類。

結(jié)合第一方面的第一種實(shí)施方式，在第一方面的第二種實(shí)施方式中，在所述獲取對(duì)目標(biāo)晶圓的線上多重晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)之前，還包括：

獲取歷史測(cè)試的若干晶圓的指定參數(shù)測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)和實(shí)測(cè)芯片性能功耗數(shù)據(jù)，作為樣本數(shù)據(jù)；