[發明專利]一種晶圓測試分類方法及系統

有效

• 申請號: 202011175918.1
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112382582B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 滕為榮;江華;陸毅;張珩
• 申請（專利權）人: 海光信息技術股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 北京市廣友專利事務所有限責任公司 11237
• 代理人: 張仲波

1.一種晶圓測試分類方法，其特征在于，在封裝步驟之前，包括：

獲取對目標晶圓的線上多重晶圓測試數據；所述測試數據包括目標晶圓在不同溫度和電壓測試條件下的指定參數測試結果數據；

根據獲取的指定參數測試結果數據，通過預設芯片分類模型對所述目標晶圓的各芯片進行性能功耗分類；

根據預先設置的性能功耗分類和產品規格的對應關系，生成包括各芯片對應的產品規格信息的封裝用圖。

2.根據權利要求1所述的晶圓測試分類方法，其特征在于，所述預設芯片分類模型包括至少兩個；

在所述根據獲取的指定參數測試結果數據，通過預設芯片分類模型對所述目標晶圓的各芯片進行性能功耗分類之前，還包括：

接收對預設芯片分類模型的選擇；

所述通過預設芯片分類模型對所述目標晶圓的各芯片進行性能功耗分類，包括：

通過當前被選擇的芯片分類模型對所述目標晶圓的各芯片進行性能功耗分類。

3.根據權利要求2所述的晶圓測試分類方法，其特征在于，在所述獲取對目標晶圓的線上多重晶圓測試數據之前，還包括：

獲取歷史測試的若干晶圓的指定參數測試結果數據和實測芯片性能功耗數據，作為樣本數據；

根據所述樣本數據，以不同產品規格的要求為邊界條件，建立指定參數組合與性能功耗分類的第一對應關系；其中，每個所述指定參數組合包含各指定參數的取值范圍；

建立基于所述指定參數組合與性能功耗分類的第一對應關系的ATE測試參數性能功耗粗放模擬模型。

4.根據權利要求2所述的晶圓測試分類方法，其特征在于，在所述獲取對目標晶圓的線上多重晶圓測試數據之前，還包括：

獲取歷史測試的若干晶圓的指定參數測試結果數據和實測芯片性能功耗數據，作為樣本數據；

根據所述樣本數據，對不同電壓條件和不同溫度條件下的各指定參數進行曲線擬合，得到各指定參數的特征曲線方程；

根據各指定參數的特征曲線方程，計算不同指定參數組合對應的芯片性能功耗；

根據產品規格定義，對計算出的各指定參數組合對應的芯片性能功耗進行由高到低逐級分類，得到指定參數組合與性能功耗分類的第二對應關系；其中，每個所述指定參數組合包含各指定參數的取值范圍；

建立基于所述指定參數組合與性能功耗分類的第二對應關系的性能功耗動態數學精細模擬模型。

5.根據權利要求1所述的晶圓測試分類方法，其特征在于，所述根據預先設置的性能功耗分類和產品規格的對應關系，生成包括各芯片對應產品規格信息的封裝用圖，包括：

根據預先設置的性能功耗分類和產品規格的對應關系，判斷所述目標晶圓的每顆芯片的性能功耗分類對應的產品規格是否唯一；

對于性能功耗分類對應的產品規格不唯一的目標芯片，根據芯片封裝器件需求，確定所述目標芯片對應的最終產品規格。

6.根據權利要求5所述的晶圓測試分類方法，其特征在于，所述根據芯片封裝器件需求，確定所述目標芯片對應的最終產品規格，包括：

若所述芯片封裝器件需求為單芯片封裝器件，則篩選出所述目標芯片的性能功耗分類對應的多個產品規格中滿足單芯片封裝功耗要求的產品規格，并在篩選出的產品規格中選擇性能要求最高的產品規格，將其確定為所述目標芯片對應的最終產品規格；

若所述芯片封裝器件需求為多芯片封裝器件，則篩選出所述目標芯片的性能功耗分類對應的多個產品規格中滿足多芯片封裝性能要求的產品規格，并在篩選出的產品規格中選擇功耗要求最高的產品規格，將其確定為所述目標芯片對應的最終產品規格。