[發(fā)明專利]一種電源開(kāi)關(guān)保護(hù)電路及保護(hù)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011175835.2
• 申請(qǐng)日: 2020-10-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112486306B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張修逢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F1/30
• 分類號(hào): G06F1/30;G06F11/30;G06F13/40
• 代理公司: 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 37205
• 代理人: 徐胭脂

本發(fā)明提供一種電源開(kāi)關(guān)保護(hù)電路及保護(hù)方法，均能：通過(guò)熱敏電阻R2檢測(cè)電控開(kāi)關(guān)周邊環(huán)境的溫度；在熱插拔電路輸出的PG信號(hào)為低電平時(shí)：在熱敏電阻R2的阻值因外界溫度升高而下降致觸發(fā)史密特觸發(fā)電路的低閾值時(shí)，控制史密特觸發(fā)電路輸出低電平；在熱敏電阻R2的阻值因外界溫度升高而下降但未致觸發(fā)史密特觸發(fā)電路的低閾值時(shí)，控制史密特觸發(fā)電路輸出高電平；通過(guò)史密特觸發(fā)電路輸出的高、低電平，控制MOSFET管Q1導(dǎo)通與截止，進(jìn)而控制電控開(kāi)關(guān)的控制端的通斷；在熱插拔電路輸出的PG信號(hào)為高電平時(shí)，R2的阻值變化對(duì)史密特觸發(fā)電路的電平信號(hào)輸出控制失效，史密特觸發(fā)電路能夠迫使第一MOSFET管Q1導(dǎo)通。本發(fā)明用于對(duì)熱插拔電路的電控開(kāi)關(guān)的上電進(jìn)行高溫保護(hù)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及服務(wù)器領(lǐng)域，具體涉及一種電源開(kāi)關(guān)保護(hù)電路及保護(hù)方法。

背景技術(shù)

熱插拔(Hot swapping或Hot plugging)即“帶電插拔”，是指可以在電腦運(yùn)作時(shí)插上或拔除硬件。配合適當(dāng)?shù)能浖憧梢栽诓挥藐P(guān)閉電源的情況下插入或拔除支持熱插拔的周邊設(shè)備，不會(huì)導(dǎo)致主機(jī)或周邊設(shè)備燒毀并且能夠?qū)崟r(shí)偵測(cè)及使用新的設(shè)備。

在服務(wù)器領(lǐng)域，熱插入的慣常實(shí)現(xiàn)方式是通過(guò)在供電與負(fù)載之間串聯(lián)一個(gè)電控開(kāi)關(guān)和一個(gè)電流檢測(cè)電阻完成的。所述電控開(kāi)關(guān)一般采用三極管，且慣常是采用MOS管(即MOSFET管)，以確保后端負(fù)載不會(huì)因接入電源的異?，F(xiàn)象(比如電壓驟降、涌浪電流等)受到損害。電流檢測(cè)電阻用于向控制線路(即熱插拔控制器)反饋流經(jīng)電控開(kāi)關(guān)的電流信號(hào)。控制線路根據(jù)電流檢測(cè)電阻反饋的電流信號(hào)以及根據(jù)預(yù)先設(shè)定的計(jì)時(shí)電路的計(jì)時(shí)信息控制電控開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通與否。

上述三極管，比如慣常采用的MOS管在作為服務(wù)器的熱插入的電控開(kāi)關(guān)使用時(shí)，如果MOS管的D(漏極)-S(源極)極間的電壓與流過(guò)MOS管的電流超出SOA(安全操作范圍)范圍，則可能導(dǎo)致MOS管的損壞。MOS管的D-S極間的電壓與流過(guò)MOS管的電流，在MOS管正常工作時(shí)不會(huì)超出SOA范圍。SOA是用來(lái)確認(rèn)晶體管是否在安全的條件下工作的信息。然而在系統(tǒng)持續(xù)一段時(shí)間后斷電重啟時(shí)，極有可能存在所述MOS管本身溫度及其周邊環(huán)境溫度已經(jīng)很高卻又強(qiáng)行打開(kāi)所述MOS管的情況，這極有可能會(huì)造成MOS管因高溫開(kāi)啟致使燒毀的現(xiàn)象。

為此，本發(fā)明提供一種電源開(kāi)關(guān)保護(hù)電路及保護(hù)方法，用于解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，本發(fā)明提供一種電源開(kāi)關(guān)保護(hù)電路及保護(hù)方法，用于對(duì)熱插拔電路的電控開(kāi)關(guān)上電進(jìn)行高溫保護(hù)。

第一方面，本發(fā)明提供一種電源開(kāi)關(guān)保護(hù)電路，應(yīng)用于熱插拔電路，所述熱插拔電路包括熱插拔控制器和用于控制所述熱插拔電路的電源的輸入與斷開(kāi)的電控開(kāi)關(guān)，該電源開(kāi)關(guān)保護(hù)電路包括史密特觸發(fā)電路、第一MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金氧半場(chǎng)效晶體管)管Q1、第二MOSFET管Q2、第三MOSFET管Q3、第一基準(zhǔn)電壓、第二基準(zhǔn)電壓，其中：

所述電控開(kāi)關(guān)采用三極管；

第一MOSFET管Q1用于串聯(lián)在所述電控開(kāi)關(guān)的控制端；

史密特觸發(fā)電路的輸出端，與第一MOSFET管Q1的柵極相連；

史密特觸發(fā)電路的輸入端，通過(guò)第一電阻R1與第二基準(zhǔn)電壓相連，并通過(guò)熱敏電阻R2與第二MOSFET管Q2的漏極相連；

所述熱敏電阻R2，用于設(shè)置在所述電控開(kāi)關(guān)所處的環(huán)境中；

第二MOSFET管Q2的源極接地；

第二MOSFET管Q2的柵極，通過(guò)第三電阻R3與第一基準(zhǔn)電壓相連，并與第三MOSFET管Q3的漏極相連；

第三MOSFET管Q3的源極接地；

第三MOSFET管Q3的柵極，用于連接所述熱插拔控制器的PG信號(hào)輸出端。