[發(fā)明專利]一種電源開關保護電路及保護方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011175835.2
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112486306B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設計）人: 張修逢
• 申請（專利權）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號: G06F1/30
• 分類號: G06F1/30;G06F11/30;G06F13/40
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 徐胭脂

1.一種電源開關保護電路，應用于熱插拔電路，所述熱插拔電路包括熱插拔控制器和用于控制所述熱插拔電路的電源的輸入與斷開的電控開關，其特征在于，該電源開關保護電路包括史密特觸發(fā)電路、第一MOSFET管Q1、第二MOSFET管Q2、第三MOSFET管Q3、第一基準電壓、第二基準電壓，其中：

所述電控開關采用三極管；

第一MOSFET管Q1用于串聯(lián)在所述電控開關的控制端；

史密特觸發(fā)電路的輸出端，與第一MOSFET管Q1的柵極相連；

史密特觸發(fā)電路的輸入端，通過第一電阻R1與第二基準電壓相連，并通過熱敏電阻R2與第二MOSFET管Q2的漏極相連；

所述熱敏電阻R2，用于設置在所述電控開關所處的環(huán)境中；

第二MOSFET管Q2的源極接地；

第二MOSFET管Q2的柵極，通過第三電阻R3與第一基準電壓相連，并與第三MOSFET管Q3的漏極相連；

第三MOSFET管Q3的源極接地；

第三MOSFET管Q3的柵極，用于連接所述熱插拔控制器的PG信號輸出端。

2.根據(jù)權利要求1所述的電源開關保護電路，其特征在于，所述電控開關采用MOS管或BJT三極管或IGBT管。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的電源開關保護電路，其特征在于，所述熱敏電阻R2用于設置在所述電控開關旁。

4.一種電源開關保護方法，應用于熱插拔電路，所述熱插拔電路包括熱插拔控制器和用于控制所述熱插拔電路的電源的輸入與斷開的電控開關，其特征在于，該電源開關保護方法基于熱敏電阻R2、史密特觸發(fā)電路和第一MOSFET管Q1，所述電控開關采用三極管；

所述電源開關保護方法包括：

采用熱敏電阻R2的阻值變化，檢測電控開關周邊環(huán)境的溫度；

在熱插拔電路的PG信號輸出端輸出的PG信號為低電平時，通過熱敏電阻R2的阻值變化控制史密特觸發(fā)電路的電平信號輸出，并且：在熱敏電阻R2的阻值因外界溫度升高而下降致觸發(fā)史密特觸發(fā)電路的低閾值時，控制史密特觸發(fā)電路輸出低電平信號；在熱敏電阻R2的阻值因外界溫度升高而下降但未致觸發(fā)史密特觸發(fā)電路的低閾值時，控制史密特觸發(fā)電路輸出高電平信號；

通過史密特觸發(fā)電路輸出的高電平信號，控制第一MOSFET管Q1導通；

通過史密特觸發(fā)電路輸出的低電平信號，控制第一MOSFET管Q1截止；

通過第一MOSFET管Q1的導通與截止，對應控制所述電控開關的控制端的導通與斷路；

在熱插拔電路的PG信號輸出端輸出的PG信號為高電平時，熱敏電阻R2的阻值變化對史密特觸發(fā)電路的電平信號輸出控制失效，史密特觸發(fā)電路能夠接收到高電平并輸出高電平信號迫使第一MOSFET管Q1導通。

5.根據(jù)權利要求4所述的電源開關保護方法，其特征在于，所述電控開關采用MOS管或BJT三極管或IGBT管。

6.根據(jù)權利要求4或5所述的電源開關保護方法，其特征在于，所述熱敏電阻R2用于設置在所述電控開關旁。

7.根據(jù)權利要求4或5所述的電源開關保護方法，其特征在于，該電源開關保護方法采用權利要求1中所述的電源開關保護電路進行實現(xiàn)。