[發明專利]發光裝置

在審

• 申請號: 202011173691.7
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN113497013A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 葉宏祥;葉寅夫;陳宗源;陳柏宇
• 申請（專利權）人: 億光電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種發光裝置，包括：

一安裝基板；

至少一發光元件，以一覆晶接合方式設置在該安裝基板上，其中該發光元件，包括：

一透光元件基板；

一N型半導體層，設置在該透光元件基板上；

一發光層，設置在該N型半導體層上；

一P型半導體層，設置在該發光層上，其中，該發光層與該P型半導體層是暴露該N型半導體層的一區域；

一第一N電極，設置在該N型半導體層的該區域上；

一第一P電極，設置在該P型半導體層上；

一第一絕緣層，設置在該N型半導體層上，以使該第一N電極與該第一P電極彼此絕緣；

一第二N電極，設置在該第一N電極及該第一絕緣層上，其中，該第二N電極具有一第一區域大于在該N型半導體層及該第一N電極之間的一第一接合面，因此該第二N電極電性連接該第一N電極，其中，該第二N電極借由該第一絕緣層與該第一P電極絕緣；以及

一第二P電極，設置在該第一P電極及該第一絕緣層上，其中，該第二P電極具有一第二區域小于該發光層的一第三區域，其中，該第二P電極電性連接該第一P電極，其中，該第二N電極和該第二P電極具有相同的尺寸，且電性連接并固定至該安裝基板；

一第一透光件，用以接收該發光元件發出的入射光，其中，該第一透光件是由無機物質和無機熒光粉構成，且該第一透光件具有一上表面以及鄰接于該上表面的一第一側面；

一第二透光件，設置于該第一透光件的該上表面上，其中該第二透光件僅由無機物質所構成且不包括無機熒光粉，而且該第二透光件具有一外露發光面以及鄰接于該外露發光面的一第二側面；以及

一覆蓋元件，包括一光反射材料，以及覆蓋至少該第一透光件的該第一側面和至少該第二透光件的該第二側面。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，該發光元件從該外露發光面側的一平面視角觀看，被該第一透光件或該第二透光件包圍。

3.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，該發光元件從該外露發光面側的一平面視角觀看未被該第一透光件或該第二透光件包圍，其中，該第一透光件的該第一側面及該第二透光件的該第二側面位于該發光元件的一上表面之內。

4.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，該第一絕緣層具有至少一第一開口以及至少一第二開口，該第二N電極通過該第一絕緣層的該至少一第一開口電性連接該第一N電極，以及第二P電極通過該第一絕緣層的該至少一第二開口電性連接該第一P電極。

5.根據權利要求4所述的發光裝置，更包括：

一導電層，設置在該P型半導體上的該第一絕緣層上，其中，該導電層具有一第四區域，且該第四區域小于該發光層的該第三區域且大于該第二P電極的該第二區域，該導電層通過該至少一第二開口電性連接該第一P電極；以及

一第二絕緣層，設置在該導電層及該第二N電極之間，以使該導電層及該第二N電極彼此絕緣；

其中，該第二P電極設置在該導電層上，該第二P電極具有該第二區域小于該P型半導體層及該第一P電極之間的一第二接合面，且該第二P電極通過該導電層電性連接該第一P電極。

6.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，該第一絕緣層是分布式布拉格反射器，包括復數第一介電層以及復數第二介電層，其中，該等第一介電層的反射系數與該等第二介電層的反射系數不同。

7.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，該第一透光件包括量子點熒光粉及/或無量子點熒光粉。

8.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，該第二透光件借由燒結、噴涂、絲網印刷、濺鍍或蒸鍍的方式形成在該第一透光件上。