[發明專利]一種晶片研磨夾具的清洗方法

在審

• 申請號: 202011173159.5
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112605051A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 畢洪偉;周一
• 申請（專利權）人: 威科賽樂微電子股份有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12;B08B3/08;B08B3/10;B08B1/00;B08B3/04;B08B13/00
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 張晨

本發明公開了一種晶片研磨夾具的清洗方法，涉及半導體材料技術領域。本發明的一種晶片研磨夾具的清洗方法，所述清洗方法是將研磨后的夾具用清洗刷刷洗干凈后，還進行了腐蝕清洗和超聲清洗，所述腐蝕清洗包括一次腐蝕清洗和二次腐蝕清洗步驟，所述超聲清洗包括一次超聲清洗、二次超聲清洗和三次超聲清洗步驟。本發明公開了一種晶片研磨夾具的清洗方法，通過腐蝕清洗和超聲清洗相結合，能夠有效的將夾具微小縫隙、角落及細小凹痕處的雜質清洗干凈，清洗后的夾具能夠回歸到本身的乳白色，清洗效果較明顯。

技術領域

本發明涉及半導體材料技術領域，尤其涉及一種晶片研磨夾具的清洗方法。

背景技術

在晶片研磨的過程中，需要根據晶片的厚度以及需要研磨的厚度挑選合適的夾具，在進行研磨的時候，將夾具放置到下研磨盤上，晶片放置到夾具中，啟動研磨機后，夾具可以在上下研磨盤中，根據中心軸輪發生運動，以此通過夾具固定晶片，防止晶片在研磨過程中運動到研磨盤之外，避免晶片表面對研磨盤的受力面積不均勻，造成晶片表面研磨不均勻。

但是由于在晶片研磨的過程中會加入研磨液，混合晶片研磨過程中掉落的物質，在研磨完成后，會在夾具的表面附著一層黑色的混合物，現有技術往往僅使用去離子水進行清洗，再用清洗刷刷洗即可，但是由于夾具表面往往很粗糙，即使使用清洗刷也無法完全將夾具清洗干凈，在夾具的縫隙處依然會存在臟污，導致在重復使用的時候會影響晶片的研磨，且由于晶片和夾具的材質完全不同，要求也不同，夾具一般采用塑料制品，韌性較高但是硬度較低，如果使用晶片的清洗藥劑會對夾具造成損傷，且由于晶片表面光整、平滑，采用晶片的清洗方式清洗夾具也不能對夾具清洗干凈。因此，亟需找到一種能夠對晶片研磨夾具清洗干凈的清洗方法。

發明內容

針對上述問題，本發明的目的在于公開一種晶片研磨夾具的清洗方法，通過腐蝕清洗和超聲清洗相結合，能夠有效的將夾具微小縫隙、角落及細小凹痕處的雜質清洗干凈，清洗后的夾具能夠回歸到本身的乳白色，清洗效果較明顯。

具體的，本發明的一種晶片研磨夾具的清洗方法，所述清洗方法是將研磨后的夾具用清洗刷刷洗干凈后，還進行了腐蝕清洗和超聲清洗。

本發明的研磨夾具的清洗方法，先使用清洗刷將夾具表面大塊、易脫落的雜質清洗干凈，再通過腐蝕清洗去除掉夾具表面明顯處的附著層，并使得微小縫隙、角落及細小凹痕處等不易清洗位置的殘留物變得松動，最后使用超聲清洗將殘留清理干凈，以此達到對晶片研磨夾具徹底清洗的目的，不僅避免了夾具上的殘留物影響晶片研磨過程的問題，同時能夠在一定程度上提高夾具的重復使用次數。

進一步，所述腐蝕清洗包括一次腐蝕清洗和二次腐蝕清洗步驟。

進一步，所述一次腐蝕清洗的腐蝕液為雙氧水和氨水混合溶液，雙氧水和氨水的體積比為2:(1～2)。

進一步，所述二次清洗的腐蝕液為雙氧水、硫酸和鹽酸的混合溶液，雙氧水、硫酸和鹽酸的體積比為10:1:(2～3)。

兩次腐蝕清洗，針對夾具表面的雜質成分，采用不同的腐蝕液，先后經過堿洗和酸洗，能夠盡可能的將夾具表面的雜質都處理到，從而在一定程度上保證了后續超聲清洗的效果。

進一步，所述超聲清洗包括一次超聲清洗、二次超聲清洗和三次超聲清洗步驟。

進一步，所述清洗方法具體包括以下步驟：

預處理：將研磨使用完成的夾具浸泡于去離子水中，撈出用清洗刷刷洗夾具表面，再用去離子水沖洗干凈；

一次腐蝕清洗：將預處理完成的夾具置于雙氧水/氨水混合溶液中，于30-35℃溫度下，腐蝕清洗30s，清洗完成后用去離子水沖洗干凈；

二次腐蝕清洗：將一次腐蝕清洗干凈的夾具置于雙氧水/硫酸/鹽酸混合溶液中，于25-35℃溫度下，腐蝕清洗1min，清洗完成后用去離子水沖洗干凈；