[發明專利]一種晶片研磨夾具的清洗方法

在審

• 申請號: 202011173159.5
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112605051A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 畢洪偉;周一
• 申請（專利權）人: 威科賽樂微電子股份有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12;B08B3/08;B08B3/10;B08B1/00;B08B3/04;B08B13/00
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 張晨

1.一種晶片研磨夾具的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法是將研磨后的夾具用清洗刷刷洗干凈后，還進行了腐蝕清洗和超聲清洗。

2.根據權利要求1所述的一種晶片研磨夾具的清洗方法，其特征在于，所述腐蝕清洗包括一次腐蝕清洗和二次腐蝕清洗步驟。

3.根據權利要求2所述的一種晶片研磨夾具的清洗方法，其特征在于，所述一次腐蝕清洗的腐蝕液為雙氧水和氨水混合溶液，雙氧水和氨水的體積比為2:(1～2)。

4.根據權利要求3所述的一種晶片研磨夾具的清洗方法，其特征在于，所述二次清洗的腐蝕液為雙氧水、硫酸和鹽酸的混合溶液，雙氧水、硫酸和鹽酸的體積比為10:1:(2～3)。

5.根據權利要求1所述的一種晶片研磨夾具的清洗方法，其特征在于，所述超聲清洗包括一次超聲清洗、二次超聲清洗和三次超聲清洗步驟。

6.根據權利要求1-5任一權利要求所述的一種晶片研磨夾具的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法具體包括以下步驟：

預處理：將研磨使用完成的夾具浸泡于去離子水中，撈出用清洗刷刷洗夾具表面，再用去離子水沖洗干凈；

一次腐蝕清洗：將預處理完成的夾具置于雙氧水/氨水混合溶液中，于30-35℃溫度下，腐蝕清洗30s，清洗完成后用去離子水沖洗干凈；

二次腐蝕清洗：將一次腐蝕清洗干凈的夾具置于雙氧水/硫酸/鹽酸混合溶液中，于25-35℃溫度下，腐蝕清洗1min，清洗完成后用去離子水沖洗干凈；

一次超聲清洗：將二次腐蝕清洗完成的夾具放入第一超聲波槽中，加入氫氧化鈉溶液，超聲清洗2min，取出用去離子水清洗干凈；

二次超聲清洗：將一次超聲清洗完成的夾具放入第二超聲波槽中，加入檸檬酸溶液，超聲清洗4-5min，取出用去離子水清洗干凈；

三次超聲清洗：將二次超聲清洗完成的夾具放入第三超聲波槽中，加入無水乙醇，超聲清洗8～10min，取出用去離子水清洗干凈；

烘干：將清洗完成的夾具置于烘干機中，70～80℃烘干3～5min，烘干后冷卻至室溫即可重復使用。

7.根據權利要求6所述的一種晶片研磨夾具的清洗方法，其特征在于，所述氫氧化鈉溶液的體積濃度為50～60％。

8.根據權利要求6所述的一種晶片研磨夾具的清洗方法，其特征在于，所述檸檬酸溶液中檸檬酸與水的體積比為1:(10～15)。