[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及用于制造其的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011169746.7
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN113471211A
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 權(quán)世漢
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，其包括通過隔離層間隔開的有源區(qū)和虛設(shè)有源區(qū)；

掩埋字線，其從所述有源區(qū)延伸到所述虛設(shè)有源區(qū)；以及

接觸插塞，其耦接到所述掩埋字線的邊緣部分，

其中，所述有源區(qū)的上表面位于比所述掩埋字線的上表面高的水平處，而所述虛設(shè)有源區(qū)的上表面位于比所述掩埋字線的上表面低的水平處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述掩埋字線的所述邊緣部分包括掩埋在所述虛設(shè)有源區(qū)中的掩埋部分以及形成在所述掩埋部分之上的突出部分，以及

其中，所述突出部分的上表面位于比所述虛設(shè)有源區(qū)的上表面高的水平處。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

覆蓋層，其覆蓋所述突出部分的側(cè)壁和上表面；以及

其中所述接觸插塞穿過所述覆蓋層耦接到所述突出部分的上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸插塞的底部包括：

第一部分，其與所述掩埋字線的邊緣部分重疊；以及

第二部分，其與所述覆蓋層重疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸插塞的所述第二部分延伸以與所述掩埋字線的所述突出部分的一個(gè)側(cè)壁重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述覆蓋層延伸以覆蓋所述隔離層的上表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述覆蓋層包括氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述掩埋字線包括金屬基材料、摻雜的半導(dǎo)體材料、金屬氮化物、金屬或它們的組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述掩埋字線的所述邊緣部分包括金屬基材料，并且所述掩埋字線包括所述金屬基材料和在所述金屬基材料之上的半導(dǎo)體材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸插塞的寬度大于所述掩埋字線的所述邊緣部分的寬度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述虛設(shè)有源區(qū)具有比所述有源區(qū)延伸得長的形狀。

12.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，其包括通過隔離層間隔開的多個(gè)有源區(qū)和多個(gè)虛設(shè)有源區(qū)；

多個(gè)掩埋字線，其被掩埋在所述襯底中并且從所述有源區(qū)延伸到所述虛設(shè)有源區(qū)；

覆蓋層，其覆蓋所述掩埋字線中的每個(gè)的邊緣部分；以及

接觸插塞，其耦接到所述掩埋字線中的每個(gè)的所述邊緣部分，

其中，所述掩埋字線中的每個(gè)的所述邊緣部分包括：

掩埋部分，其被掩埋在所述虛設(shè)有源區(qū)中；以及

突出部分，其形成在所述掩埋部分之上，并且具有比所述虛設(shè)有源區(qū)的上表面高的水平。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述覆蓋層覆蓋所述突出部分的側(cè)壁和上表面。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸插塞的底部包括：

第一部分，其與所述掩埋字線中的每個(gè)的邊緣部分重疊；以及

第二部分，其與所述覆蓋層重疊。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述接觸插塞的所述第二部分延伸以與所述掩埋字線中的每個(gè)的所述突出部分的一個(gè)側(cè)壁重疊。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述覆蓋層延伸以覆蓋所述隔離層的上表面。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述覆蓋層包括氮化硅。