[發明專利]改善寄生溝道效應的NS-FET及其制備方法

有效

• 申請號: 202011167512.9
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112349590B
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發明（設計）人: 顧杰;張青竹;張兆浩;殷華湘
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 孫蕾

1.一種改善寄生溝道效應的NS-FET制備方法，包括：

操作S1：在襯底上生長外延層并在外延層上制備掩膜；

操作S2：對應所述掩膜刻蝕整個外延層形成溝道部，刻蝕部分襯底形成窄鰭條，所述溝道部寬度大于所述窄鰭條的寬度，所述窄鰭條中部的寬度小于所述窄鰭條上部的寬度以及所述窄鰭條下部的寬度；

操作S3：在所述窄鰭條兩側臺面區填充隔離材料形成隔離區；

操作S4：去除掩膜，制作柵極并在溝道部方向的柵極兩側制備側墻和源漏，完成改善寄生溝道效應的NS-FET的器件制備；

其中，所述操作S3中，在所述窄鰭條兩側臺面區填充的隔離材料填充至窄鰭條和溝道部的交界處以下，使得一部分窄鰭條位于所述隔離材料之上。

2.根據權利要求1所述的制備方法，所述外延層為交替外延生長的鍺硅層和硅層。

3.根據權利要求1所述的制備方法，所述隔離材料為氧化物 。

4.一種改善寄生溝道效應的NS-FET，采用以上權利要求1至3任一項所述的制備方法制備而成，所述改善寄生溝道效應的NS-FET，包括：

襯底，其上部制備有窄鰭條，所述窄鰭條中部的寬度小于所述窄鰭條上部的寬度以及所述窄鰭條下部的寬度；

溝道部，覆于所述窄鰭條上，其寬度大于所述窄鰭條的寬度；

側墻，制備于所述溝道部方向的柵極兩側；以及

隔離區，位于所述窄鰭條的兩側。

5.根據權利要求4所述的改善寄生溝道效應的NS-FET，一部分窄鰭條位于所述隔離區上表面之上。